[發明專利]一種金屬層的形成方法、半導體器件及其形成方法在審
| 申請號： | 201910058766.8 | 申請日： | 2019-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN109786240A | 公開（公告）日： | 2019-05-21 |
| 發明（設計）人： | 劉沖;吳繼科;曹秀亮 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3205 | 分類號： | H01L21/3205;H01L21/321;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬層 磁控濺射工藝 半導體器件 襯底 種金屬層 反應腔 突起狀 室內 金屬層表面 加熱氣流 晶粒 平坦度 晶界 良率 摻雜 | ||
1.一種金屬層的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
將一襯底置于一反應腔室內；
利用磁控濺射工藝在所述襯底上形成第一子金屬層；
利用磁控濺射工藝在所述第一子金屬層上形成第二子金屬層，并向所述反應腔室內通入加熱氣流，所述第一子金屬層和第二子金屬層共同構成金屬層；
其中，所述第一子金屬層和第二子金屬層的材料均包括摻雜有銅的鋁。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成第二子金屬層時，向所述反應腔室內通入的加熱氣流的溫度在250℃～450℃之間。
3.如權利要求2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一子金屬層時，向所述反應腔室內通入加熱氣流，所述加熱氣流的溫度小于250℃；或者，在形成第一子金屬層時，未向所述反應腔室內通入加熱氣流。
4.如權利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一子金屬層的厚度與所述第二子金屬層的厚度比在1:9～6:4之間。
5.如權利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第一子金屬層的厚度與所述第二子金屬層的厚度之和大于等于2μm。
6.如權利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一子金屬層和第二子金屬層中銅的重量與鋁的重量比均小于等于2:98。
7.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：
將一襯底置于一反應腔室內，所述襯底上形成有氧化層；
利用磁控濺射工藝在所述氧化層上形成第一子金屬層；
利用磁控濺射工藝在所述第一子金屬層上形成第二子金屬層，并向所述反應腔室內通入加熱氣流，所述第一子金屬層和第二子金屬層共同構成金屬層，其中，所述第一子金屬層和第二子金屬層均包括摻雜有銅的鋁；以及
在所述第二子金屬層上形成鈍化層，再形成溝槽，所述溝槽貫穿所述鈍化層、第二子金屬層和第一子金屬層，并停止在所述氧化層上。
8.如權利要求7所述的形成方法，其特征在于，在形成第二子金屬層時，向所述反應腔室內通入的加熱氣流的溫度在250℃～450℃之間。
9.如權利要求8所述的形成方法，其特征在于，在形成第一子金屬層時，向所述反應腔室內通入加熱氣流，所述加熱氣流的溫度小于250℃；或者，在形成第一子金屬層時，未向所述反應腔室內通入加熱氣流。
10.一種半導體器件，其特征在于，由權利要求7-9所述的形成方法制備而成。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
