[發明專利]一種可控制備復合型納米圖紋陣列的方法有效
| 申請號： | 201910058713.6 | 申請日： | 2019-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN109592635B | 公開（公告）日： | 2020-08-11 |
| 發明（設計）人： | 溫嘉紅;趙曉宇;王雅新;張永軍 | 申請（專利權）人： | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號： | B81B7/04 | 分類號： | B81B7/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 310018 浙*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 可控 制備 復合型 納米 陣列 方法 | ||
1.一種可控制備復合型納米圖紋陣列的方法，其特征在于，所述的制備方法包括以下步驟：
(A)利用自組裝法，在具有親水性表面的Si襯底上自組裝出密排的PS膠體球陣列，得到有序納米圖紋化結構模板；
(B)在步驟(A)中得到的有序納米圖紋化結構模板表面磁控濺射一層Ag膜后形成Ag納米帽子陣列；將表面帶有Ag膜的PS膠體球陣列用雙面膠粘下，在原Si襯底上得到Ag納米三角形陣列；
(C)將步驟(B)中粘有表面帶有Ag膜的PS膠體球陣列的雙面膠倒置轉移到另一個Si襯底上，將PS重新裸露在外部，得到背部鍍有Ag膜的有序納米圖紋化結構二次模板；將有序納米圖紋化結構二次模板的PS小球完全刻蝕，得到Ag納米碗陣列；
(D)對步驟(C)中得到的背部鍍有Ag膜的有序納米圖紋化結構二次模板中的PS小球進行刻蝕不同時間后，并在其表面濺射沉積一層TiO2膜后分別得到Ag-TiO2-FON陣列、Ag-TiO2納米帽-星陣列以及Ag-TiO2納米環-粒子陣列；
所述的聚苯乙烯膠體球的直徑為100～1000nm；
所述的步驟(C)與步驟(D)中的刻蝕方法為等離子刻蝕，等離子刻蝕功率為10-50w；
所述的步驟(D)中等離子體刻蝕時間為0～1000s。
2.根據權利要求1所述的一種可控制備復合型納米圖紋陣列的方法，其特征在于，所述的Ag膜的厚度為10～100nm。
3.根據權利要求1所述的一種可控制備復合型納米圖紋陣列的方法，其特征在于，所述的步驟(C)中得到的Ag納米碗的直徑為50～500nm。
4.根據權利要求1所述的一種可控制備復合型納米圖紋陣列的方法，其特征在于，所述的步驟(D)中TiO2膜的厚度為20～100nm。
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