[發(fā)明專利]一種提高碳化硅直接鍵合強(qiáng)度的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910057428.2
• 申請日: 2019-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN109904064A
• 公開（公告）日: 2019-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁曉波;劉德峰;黃漫國;蔣永剛;李健;張德遠(yuǎn)
• 申請（專利權(quán)）人: 中國航空工業(yè)集團(tuán)公司北京長城航空測控技術(shù)研究所;中航高科智能測控有限公司;北京航空航天大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/18
• 分類號(hào): H01L21/18
• 代理公司: 中國航空專利中心 11008
• 代理人: 陳宏林

1.一種提高碳化硅直接鍵合強(qiáng)度的方法，其特征在于：該方法的步驟如下：

步驟一、碳化硅晶片待鍵合面化學(xué)機(jī)械拋光；

步驟二、碳化硅晶片待鍵合面清洗；

步驟三、碳化硅晶片待鍵合面氫氟酸表面預(yù)處理；

利用氫氟酸溶液對碳化硅晶片待鍵合面進(jìn)行預(yù)處理，去除碳化硅晶片表面原生氧化層；

步驟四、氫氟酸溶液中預(yù)鍵合；

將兩片碳化硅晶片待鍵合面對接在一起，放入氫氟酸溶液中完成碳化硅晶片的預(yù)鍵合，在預(yù)鍵合過程中，兩片碳化硅晶片待鍵合面之間存在氫氟酸溶液層，將預(yù)鍵合后的樣件整體取出，放置在熱絕緣板的表面上；

步驟五、將熱絕緣板放置在鍵合機(jī)的倉室中，對倉室抽真空，抽真空時(shí)，真空度小于50Pa，然后對倉室內(nèi)空間進(jìn)行加熱至1100℃～1300℃之后，對樣件整體加載垂直于鍵合面的壓力，該壓力為30MPa～50MPa，保持3h以上，完成兩片碳化硅晶片的鍵合，然后將倉室回壓至標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高碳化硅直接鍵合強(qiáng)度的方法，其特征在于：所述步驟五中所述的對樣件整體加載的垂直于鍵合面的壓力保持時(shí)間為3～5h。