[發(fā)明專利]一種硅襯底上的III族氮化物層

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910055992.0
• 申請(qǐng)日: 2019-01-22
• 公開（公告）號(hào): CN109887997A
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 顧偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/20
• 分類號(hào): H01L29/20;H01L29/778;H01L31/0304;H01L31/101;H01L33/32;H01S5/30
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1.一種硅襯底上的III族氮化物層，包括硅襯底，以及依次位于硅襯底上的III族氮化物緩沖層、III族氮化物底層和III族氮化物功能層；其特征在于：所述III族氮化物底層包括有中間層和基底層，所述中間層的組分為B_xAl_yGa_1-x-yN，其中0.05≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1，所述基底層的組分為Al_zGa_1-zN，其中0≤z≤1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅襯底上的III族氮化物層，其特征在于：所述中間層位于基底層之前、之中或之后，且所述中間層的厚度為0.3~3um，所述基底層的厚度為0.8~8um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅襯底上的III族氮化物層，其特征在于：所述中間層為固定組分或?yàn)闈u變組分，所述基底層為固定組分或?yàn)闈u變組分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅襯底上的III族氮化物層，其特征在于：所述III族氮化物緩沖層的組分為AlN，厚度為5~500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅襯底上的III族氮化物層，其特征在于：所述中間層由一個(gè)或一個(gè)以上的子中間層所組成，所述基底層為一個(gè)或一個(gè)以上的子基底層所組成，所述子中間層和子基底層通過任意形式的組合以構(gòu)成所述III族氮化物底層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種硅襯底上的III族氮化物層，其特征在于：所述子中間層的厚度為0.01~3um，所述子基底層的厚度為0.01~8um。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅襯底上的III族氮化物層，其特征在于：所述III族氮化物功能層為實(shí)現(xiàn)發(fā)光二極管、高電子遷移率晶體管、半導(dǎo)體激光器、光電探測(cè)器中的一種。