[發明專利]一種高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料及其制備方法在審
| 申請號： | 201910055451.8 | 申請日： | 2019-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN109650874A | 公開（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發明（設計）人： | 王飛 | 申請（專利權）人： | 鄭州工業應用技術學院 |
| 主分類號： | C04B35/457 | 分類號： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 合肥市科融知識產權代理事務所(普通合伙) 34126 | 代理人： | 陳思聰 |
| 地址： | 451100 河南*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 壓敏電阻材料 二氧化錫基 原料組成 高電位 重量份 制備 電子元器件材料 電壓梯度 高非線性 高溫燒結 配料混合 熱穩定性 濕法球磨 使用壽命 協同增效 綜合性能 漏電流 系數和 電學 過篩 老化 | ||
1.一種高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料，其特征在于，由以下按照重量份的原料組成：SnO2 85-97份、SiO2 1-5份、Nd2O3 0.1-2份、ThO2 0.8-2份、Al2SiO5 1-5份、Ga As0.1-1份。
2.根據權利要求1所述的一種高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料，其特征在于，由以下按照重量份的原料組成：SnO2 90-95份、SiO2 2-4份、Nd2O3 0.5-1份、ThO2 1-1.5份、Al2SiO5 2-4份、GaAs 0.3-0.7份。
3.根據權利要求1所述的一種高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料，其特征在于，由以下按照重量份的原料組成：SnO2 92份、SiO2 2.5份、Nd2O3 0.8份、ThO2 1.2份、Al2SiO5 3份、GaAs 0.5份。
4.一種如權利要求1-3任一項所述的高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)按上述各組分的質量份進行配料，并混合均勻；
(2)將混合后的原料和有機溶劑一起置于聚氨酯球磨機內進行濕法球磨，球磨時間為12-36小時；
(3)將上述得到的料漿放在90-120℃的烘干箱中進行烘干，并過篩得到料粒，然后將料粒壓制成型得到壓坯；
(4)將壓坯置于燒結爐中，進行燒結處理2-5h后，自然冷卻到室溫，即可得到二氧化錫基壓敏電阻材料。
5.根據權利要求4所述的一種高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料的制備方法，其特征在于，所述的有機溶劑為無水乙醇。
6.根據權利要求5所述的一種高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料的制備方法，其特征在于，所述的有機溶劑與原料和球磨機的體積比為1∶(1-2)∶(2-4)。
7.根據權利要求4所述的一種高電位梯度二氧化錫基壓敏電阻材料的制備方法，其特征在于，所述的燒結處理的燒結溫度為1200℃-1600℃。
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