[發明專利]蝕刻方法

在審

• 申請號: 201910054586.2
• 申請日: 2019-01-21
• 公開（公告）號: CN110071040A
• 公開（公告）日: 2019-07-30
• 發明（設計）人: 淺田泰生;折居武彥;高橋信博
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種蝕刻方法，其特征在于，

向具有Ge濃度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被處理體供給蝕刻氣體，利用所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料的直到由所述蝕刻氣體進行的蝕刻開始為止的培育時間之差，而對所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相對于另一者選擇性地進行蝕刻。

2.一種蝕刻方法，其特征在于，

針對具有Ge濃度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被處理體反復進行多次蝕刻時間下的蝕刻處理和多次處理空間的吹掃，而對所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相對于另一者選擇性地進行蝕刻，在該蝕刻時間下的蝕刻處理中，向該被處理體供給蝕刻氣體，使所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者被蝕刻，另一者實質上未被蝕刻。

3.根據權利要求2所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述蝕刻處理的1次時間是1sec～10sec，所述吹掃的1次時間是5sec～30sec。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述蝕刻之際的溫度是100℃以上。

5.根據權利要求4所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述蝕刻之際的溫度是100℃～125℃。

6.一種蝕刻方法，其特征在于，

在低溫范圍內向具有Ge濃度互不相同的第1SiGe系材料和第2SiGe系材料的被處理體供給蝕刻氣體，對所述第1SiGe系材料和所述第2SiGe系材料中的一者相對于另一者選擇性地進行蝕刻。

7.根據權利要求6所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述蝕刻之際的溫度是60℃以下。

8.根據權利要求7所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述蝕刻之際的溫度是0～60℃。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述蝕刻氣體是含有含氟氣體的氣體。

10.根據權利要求9所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述含氟氣體是從由ClF₃氣體、F₂氣體、IF₇氣體構成的組選擇的至少一種。

11.根據權利要求9或10所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述第1SiGe系材料是由Ge濃度相對較高的SiGe膜構成的第1膜，所述第2SiGe系材料是由Ge濃度相對較低的SiGe膜或Si膜構成的第2膜，使用含氟氣體作為蝕刻氣體，而相對于所述第2膜選擇性地蝕刻所述第1膜。

12.根據權利要求9或10所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述第1SiGe系材料是由Ge濃度相對較高的SiGe膜構成的第1膜，所述第2SiGe系材料是由Ge濃度相對較低的SiGe膜或Si膜構成的第2膜，使用含氟氣體和NH₃氣體作為蝕刻氣體，而相對于所述第1膜選擇性地蝕刻所述第2膜。

13.根據權利要求11或12所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述被處理體是在基板上層疊1次以上所述第1膜和所述第2膜而構成的。

14.根據權利要求11所述的蝕刻方法，其特征在于，

所述被處理體在基板上形成有：構造部，其具有作為蝕刻對象的所述第1膜；非蝕刻對象SiGe膜，其設置到所述構造部的外側，具有與所述第1膜的Ge濃度相等的Ge濃度；以及所述第2膜，其在所述構造部與所述非蝕刻對象SiGe膜之間設置為所述非蝕刻對象膜的保護層。