[發(fā)明專利]一種利用紫外激光加工干法刻蝕中硬掩膜板的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910054320.8
• 申請(qǐng)日: 2019-01-21
• 公開（公告）號(hào): CN109742019B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳云;丁樹權(quán);李力一;陳新;高健;劉強(qiáng);汪正平;張勝輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L21/311
• 代理公司: 佛山市禾才知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44379
• 代理人: 單蘊(yùn)倩;梁永健

1.一種利用紫外激光加工干法刻蝕中硬掩膜板的方法，其特征在于：制備液體光刻膠，旋涂液體光刻膠，得到覆蓋有光刻膠層的晶圓；

具體步驟包括：

步驟S1：利用紫外激光將晶圓上的光刻膠部分轉(zhuǎn)化為具有目標(biāo)設(shè)計(jì)圖案的石墨烯和/或碳；

步驟S2：用等離子刻蝕去除未轉(zhuǎn)化的光刻膠；

步驟S3：將步驟S1中轉(zhuǎn)化后的圖案化石墨烯和/或碳作為后續(xù)刻蝕掩膜板；

步驟S4：刻蝕；

步驟S5：去除掩膜層；

其中，在所述步驟S1中，利用紫外激光將晶圓上的光刻膠部分轉(zhuǎn)化為具有目標(biāo)設(shè)計(jì)圖案的石墨烯和/或碳，具體步驟如下：

步驟S11：將覆蓋有光刻膠層的晶圓置于紫外激光加工平臺(tái)上的真空腔并固定；

步驟S12：打開真空泵通入氦氣，使氦氣流量保持在300ml/min；

步驟S13：關(guān)閉真空泵，持續(xù)通入氦氣，當(dāng)真空度為100Kpa時(shí)關(guān)閉氦氣；

步驟S14：重復(fù)操作步驟S12和S13，將真空腔內(nèi)的多余殘留氣體完全排除；

步驟S15：打開真空泵，通入氮?dú)?，調(diào)節(jié)氮?dú)饬髁繛?00ml/min，真空度為0.1Kpa；

步驟S16：根據(jù)目標(biāo)圖案繪制由線條陣列組成的加工圖案；

步驟S17：設(shè)置參數(shù)并開始加工晶圓，晶圓加工完成后取出；

在步驟S2中，用等離子刻蝕去除未轉(zhuǎn)化的光刻膠，具體步驟如下：

在感應(yīng)耦合等離子體(ICP)系統(tǒng)中對(duì)未轉(zhuǎn)化的光刻膠進(jìn)行刻蝕，主刻蝕氣體為H₂或O₂，輔刻蝕氣體為CO，刻蝕時(shí)間30秒，ICP功率為300W，RF功率20W，反應(yīng)壓強(qiáng)0.4Pa；

在步驟S4中，刻蝕的具體步驟如下：

在感應(yīng)耦合等離子體(ICP)系統(tǒng)中對(duì)覆蓋在半導(dǎo)體襯底硅上的SiO₂氧化膜進(jìn)行刻蝕，刻蝕時(shí)間1分鐘，刻蝕氣體為Ar/SF₆，比例為4:1，ICP功率500W，RF功率30W，反應(yīng)壓強(qiáng)0.5Pa。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種利用紫外激光加工干法刻蝕中硬掩膜板的方法，其特征在于：

在步驟S5中，去除掩膜層的具體步驟如下：

將晶圓置于N-甲基吡咯烷酮(NMP)液體中，置于超聲波清洗機(jī)中清洗5分鐘。