[發明專利]一種PERC雙面電池制作工藝在審
| 申請號: | 201910054105.8 | 申請日: | 2019-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN109904067A | 公開(公告)日: | 2019-06-18 |
| 發明(設計)人: | 談錦彪;從海泉;姜昀;徐東升;李慧;馬擎天 | 申請(專利權)人: | 東方環晟光伏(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/22 | 分類號: | H01L21/22;H01L21/265;H01L21/268;H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 劉暢;徐冬濤 |
| 地址: | 214203 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 背面 制作工藝 激光 離子注入方式 離子注入工藝 雙面太陽電池 電池片效率 擴散 高溫燒結 減反射膜 刻蝕拋光 擴散工藝 磷硅玻璃 靈活控制 雙面電池 正面沉積 正面印刷 背電極 摻雜的 鈍化膜 硅表面 接觸區 銀柵線 單晶 刻劃 鋁柵 制絨 去除 沉淀 印刷 生產 | ||
1.一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于它包括以下步驟:
①硅表面制絨:選擇P型硅片,對選擇的P型硅片的雙面在堿液下進行表面絨面化,然后在酸性條件下進行化學清洗,除去表面雜質;
②擴散:采用離子注入方式,在電池背面進行B擴散,在電池正面進行P擴散,然后通過退火激活。
③激光SE:設計背面激光圖形,通過激光工藝進行背面鋁柵線B區域進行重摻,使硅片背面面形成p++摻雜層,設計正面激光圖形,通過激光工藝進行正面銀柵線P區域進行重摻,使硅片背面面形成n++摻雜層;
④單晶刻蝕拋光:單晶背面拋光;
⑤背面沉淀鈍化膜:背面單面依次沉積氧化鋁/氮化硅疊層膜;
⑥正面沉積減反射膜:正面沉積氮化硅減反射膜;
⑦背面激光刻劃接觸區:背面局部打開薄膜,背面激光圖形設計:光斑直徑:10-35μm,激光線的間距:500-700μm;
⑧背面印刷背電極和鋁柵線,背面采用鋁柵線設計,鋁背場網版設計:鋁柵線寬度:100-300μm,副柵根數:96-115根;
⑨正面印刷銀柵線;
⑩高溫燒結。
2.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟⑦中,光斑直徑為15μm,激光線的間距為550μm。
3.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟⑦中,光斑直徑為25μm,激光線的間距為650μm。
4.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟⑦中,光斑直徑為45μm,激光線的間距為750μm。
5.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟⑧中,鋁柵線寬度:60μm,副柵根數:96根。
6.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟⑧中,鋁柵線寬度:80μm,副柵根數:105根。
7.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟⑧中,鋁柵線寬度:100μm,副柵根數:115根。
8.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟①中,化學清洗的具體步驟為:用質量分數為1.2±0.2%的氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液在80±2℃下對P型硅片表面進行化學腐蝕,制備出金字塔形狀的絨面,隨后用質量分數為15±3%的氫氟酸進行清洗。
9.根據權利要求1所述的一種P型PERC雙面太陽電池的制作工藝,其特征在于,步驟②中,P擴散方阻110±20歐姆,B擴散方阻60±20歐姆。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





