[發(fā)明專利]電子裝置的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910052751.0
• 申請日: 2019-01-21
• 公開（公告）號: CN111463172A
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳諺宗;游明璋
• 申請（專利權(quán)）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

1.一種電子裝置的制作方法，其特征在于，包括：

將軟性基板設(shè)置于載板上并于所述軟性基板上設(shè)置元件結(jié)構(gòu)層，其中所述載板上設(shè)置有離型層，而所述軟性基板通過所述離型層與所述載板相連接；

進(jìn)行切割程序，以在所述元件結(jié)構(gòu)層的外圍形成周緣切割區(qū)，所述周緣切割區(qū)的深度從所述元件結(jié)構(gòu)層延伸至所述離型層與所述載板之間；

進(jìn)行破口程序，以在所述周緣切割區(qū)內(nèi)的所述軟性基板與所述離型層之間形成破口；

進(jìn)行超音波震蕩程序，使水分子通過震蕩而經(jīng)由所述破口進(jìn)入所述軟性基板與所述離型層之間；以及

于進(jìn)行所述超音波震蕩程序之后，進(jìn)行剝離程序，使所述軟性基板與所述離型層分離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，還包括：

于進(jìn)行所述破口程序之前，形成支撐膜片于所述元件結(jié)構(gòu)層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，進(jìn)行所述超音波震蕩程序時(shí)，所述超音波震蕩程序的頻率介于20KHz至2MHz之間，而所述超音波震蕩程序的溫度介于20℃至80℃之間，且所述超音波震蕩程序的時(shí)間介于1分鐘至20分鐘之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，還包括：

于進(jìn)行所述破口程序之后，且于進(jìn)行所述超音波震蕩程序之前，提供超音波水槽，所述超音波水槽具有置放平臺，而所述載板放置于所述置放平臺上，且所述元件結(jié)構(gòu)層、所述軟性基板以及所述載板浸泡于水中。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，所述超音波水槽具有底面，所述置放平臺設(shè)置于所述底面。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，所述超音波水槽具有側(cè)面及底面，所述側(cè)面與所述底面相鄰，其中所述置放平臺設(shè)置于所述側(cè)面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，所述置放平臺與所述底面之間具有傾斜角。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，還包括：

于進(jìn)行所述超音波震蕩程序之后，且于進(jìn)行所述剝離程序之前，進(jìn)行第一清潔程序，以清除所述元件結(jié)構(gòu)層上的所述水分子；以及

于進(jìn)行所述剝離程序之后，進(jìn)行第二清潔程序，以清除所述軟性基板上的所述水分子。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，還包括：

于進(jìn)行所述剝離程序之后，形成支撐膜片于所述軟性基板上。

10.根據(jù)權(quán)利要求2或9所述的電子裝置的制作方法，其特征在于，所述支撐膜片包括紫外光膜或熱塑性聚酯膜。