[發(fā)明專利]一種SIW單脊波導(dǎo)環(huán)行器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910052211.2 | 申請日： | 2019-01-21 |
| 公開（公告）號： | CN109638399A | 公開（公告）日： | 2019-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 汪曉光;陳鳳婷;謝海巖;田松杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號： | H01P1/39 | 分類號： | H01P1/39 |
| 代理公司： | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人： | 閆樹平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單脊波導(dǎo) 環(huán)行器 腔體 工作帶寬 寬頻帶 微波通信 傳輸線技術(shù) 體積小型化 鐵氧體圓盤 峰值功率 功率容量 階梯阻抗 切比雪夫 輸出波導(dǎo) 微波元件 原理應(yīng)用 高功率 介質(zhì)環(huán) 匹配段 微波管 填充 保證 | ||
1.一種SIW單脊波導(dǎo)環(huán)行器，包括鐵氧體圓盤、介質(zhì)環(huán)、腔體填充介質(zhì)和SIW腔體，其特征在于：
所述鐵氧體圓盤半徑為20-22mm，厚度為4mm；
所述介質(zhì)環(huán)外半徑為30-32mm，厚度為4mm，內(nèi)半徑與鐵氧體圓盤半徑相適應(yīng)；且介質(zhì)環(huán)以同心的方式相適應(yīng)設(shè)置于鐵氧體圓盤外圍，作為環(huán)行器結(jié)內(nèi)匹配；
所述SIW腔體由三個相同且互成120度的SIW單脊波導(dǎo)構(gòu)成；單脊波導(dǎo)置于SIW單脊波導(dǎo)的腔體內(nèi)，緊貼于SIW的下壁；鐵氧體圓盤位于三個互成120度的單脊波導(dǎo)中心結(jié)位置，且緊貼著各單脊波導(dǎo)一端的上壁，單脊波導(dǎo)的另一端，為環(huán)行器的端口；鐵氧體圓盤與SIW腔體上壁之間留有1mm間隙。
2.如權(quán)利要求1所述SIW單脊波導(dǎo)環(huán)行器，其特征在于：所述單脊波導(dǎo)，運用切比雪夫階梯阻抗變換方法，調(diào)整單脊波導(dǎo)的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述SIW單脊波導(dǎo)環(huán)行器，其特征在于：所述腔體填充介質(zhì)為空氣。
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