[發(fā)明專利]一種PERC電池背面拋光工藝有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910050991.7 | 申請(qǐng)日： | 2019-01-21 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109887841B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-06-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王飛;黃海濤;侯如鐘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州愛(ài)康光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/306 | 分類號(hào)： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 蘇州潤(rùn)桐嘉業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32261 | 代理人： | 胡思棉 |
| 地址： | 215600 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 perc 電池 背面 拋光 工藝 | ||
1.一種PERC背面拋光工藝，其中，包括以下步驟：
正面鍍膜：在硅片正面沉積一層SiNx膜；
酸洗繞鍍：將所述硅片浸泡在HF溶液中，將背面反鍍的SiNx清洗掉；
背面拋光：將所述硅片背面與堿溶液接觸，所述堿溶液為NaOH或KOH溶液，所述堿溶液的濃度為20％-35％，所述堿溶液的溫度為70℃-90℃，所述硅片與堿溶液的接觸時(shí)長(zhǎng)為200秒-300秒；
所述堿溶液盛放在堿槽內(nèi)，所述堿槽自動(dòng)給堿溶液加熱，使堿溶液保持恒溫；
在正面鍍膜步驟中，通過(guò)PECVD法形成所述SiNx膜；
在正面鍍膜步驟中，所述SiNx膜的厚度為105nm-110nm；
在酸洗繞鍍步驟中，所述HF溶液的濃度為3％-6％；
在酸洗繞鍍步驟中，浸泡時(shí)長(zhǎng)與反鍍的SiNx膜的厚度成正比。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中的任一項(xiàng)所述的一種PERC背面拋光工藝，其中，在進(jìn)行正面鍍膜步驟之前，先對(duì)所述硅片進(jìn)行制絨、擴(kuò)散和刻蝕處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1中的任一項(xiàng)所述的一種PERC背面拋光工藝，其中，在完成背面拋光步驟之后，對(duì)硅片進(jìn)行清洗烘干、背面鈍化、開(kāi)槽和金屬化工藝。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
