[發明專利]利用吹膜機大規模生產SiO2 有效
| 申請號： | 201910050583.1 | 申請日： | 2019-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN109624284B | 公開（公告）日： | 2021-02-02 |
| 發明（設計）人： | 周志華;劉俊偉 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | B29C55/28 | 分類號： | B29C55/28 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 吳學穎 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 吹膜機 大規模 生產 sio base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種利用吹膜機大規模生產SiO2輻射冷卻膜的方法，其特征在于，包括以下步驟：
第一步：將低密度聚乙烯顆粒、低密度聚乙烯粉末、SiO2粉末按質量比70：30：6，在吹膜機外充分混合攪拌；
第二步：打開吹膜機，將加熱溫度調到220℃，膜厚度調成50微米；
第三步：將第一步攪拌后的混合物加入吹膜機的下料斗中，靠粒子本身的重量從料斗進入螺桿，逐漸加熱；
第四步：熔融的低密度聚乙烯顆粒、低密度聚乙烯粉末裹攜SiO2粉末經吹膜機的機頭過濾網去雜質從模頭?？诔鰜?，經吹脹、冷卻之后經人字板壓，由牽引輥卷取將成品薄膜卷成筒。
2.根據權利要求1所述的利用吹膜機大規模生產SiO2輻射冷卻膜的方法，其特征在于，所述低密度聚乙烯顆粒和低密度聚乙烯粉末均采用普通低密度聚乙烯，用于冷卻膜發射層的光透過，熔點107-112℃、熔體流動速率為3.0-5.0g/10min，所述低密度聚乙烯顆粒的粒徑為4-5mm，所述低密度聚乙烯粉末的粒徑為100目。
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