[發(fā)明專利]低內(nèi)阻手機電池保護裝置及放電保護電路、充電保護電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910049882.3 | 申請日： | 2019-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN109873470A | 公開（公告）日： | 2019-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃振星 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳欣旺達智能科技有限公司 |
| 主分類號： | H02J7/00 | 分類號： | H02J7/00;H02H7/18 |
| 代理公司： | 深圳市明日今典知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44343 | 代理人： | 王杰輝 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市光明新區(qū)公*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 充電器 電池保護板 低內(nèi)阻 充電保護電路 放電保護電路 保護裝置 功率MOS管 動作設(shè)計 手機電池 電池 放電 充電 大電流回路 充電保護 電路內(nèi)阻 發(fā)熱功率 方案設(shè)計 放電保護 數(shù)量減少 制造成本 裝配空間 大電流 低成本 待機 布線 手機 電路 維護 | ||
1.一種低內(nèi)阻手機電池保護裝置，應(yīng)用于電池上，其特征在于，包括電池保護板和充電器，所述電池保護板包括放電保護芯片與放電控制MOS管，所述放電保護芯片用于監(jiān)測所述電池的第一工作電壓，所述放電保護芯片與所述放電控制MOS管電學(xué)連接，并用于控制所述放電控制MOS管的開關(guān)；
所述電池放電時，所述電池與負載通過所述放電控制MOS管連通，形成放電回路，所述芯片在所述第一工作電壓低于第一預(yù)設(shè)閾值電壓時關(guān)閉所述放電控制MOS管；
所述電池充電時，所述充電器接入所述電池，并對所述電池進行充電，同時所述芯片與所述充電器信號連接，所述芯片在所述第一工作電壓高于第二預(yù)設(shè)閾值電壓時發(fā)送關(guān)閉信號給所述充電器，所述充電器根據(jù)所述關(guān)閉信號停止充電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低內(nèi)阻手機電池保護裝置，其特征在于，放電或充電時，大電流流經(jīng)所述放電控制MOS管形成壓降，所述放電保護芯片還用于監(jiān)測所述放電控制MOS管兩端形成壓降的第二工作電壓，并在所述第二工作電壓高于第三預(yù)設(shè)閾值電壓時關(guān)閉所述放電控制MOS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的低內(nèi)阻手機電池保護裝置，其特征在于，所述充電器包括充電保護芯片，所述充電保護芯片用于控制所述充電器的開關(guān)，所述充電保護芯片與所述放電保護芯片信號連接；
所述電池充電時，所述放電保護芯片在所述第二工作電壓低于第四預(yù)設(shè)閾值電壓時發(fā)送關(guān)閉信號給所述充電保護芯片，所述充電保護芯片根據(jù)所述關(guān)閉信號關(guān)閉所述充電器。
4.一種放電保護電路，應(yīng)用于權(quán)利要求1所述的電池保護板上，其特征在于，包括所述放電保護芯片、所述放電控制MOS管與信號輸出端，所述放電保護芯片分別與所述放電控制MOS管和所述信號輸出端電學(xué)連接；
所述放電保護芯片用于檢測所述電池的所述第一工作電壓，并在所述第一工作電壓低于所述第一預(yù)設(shè)閾值電壓時關(guān)閉所述放電控制MOS管；
所述信號輸出端與所述充電器信號連接，所述放電保護芯片在檢測到所述第一工作電壓高于第二預(yù)設(shè)閾值電壓時通過所述信號輸出端發(fā)送關(guān)閉信號給所述充電器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的放電保護電路，其特征在于，所述放電保護芯片還用于檢測所述放電控制MOS管的第二工作電壓，并在所述第二工作電壓高于第三預(yù)設(shè)閾值電壓時關(guān)閉所述放電控制MOS管。
6.一種充電保護電路，應(yīng)用于權(quán)利要求1所述的充電器上，其特征在于，包括充電保護芯片和充電控制MOS管，所述充電保護芯片與所述充電控制MOS管電學(xué)連接，所述充電保護芯片與所述放電保護芯片信號連接；
所述充電保護芯片在接收到所述放電保護芯片發(fā)送的所述關(guān)閉信號之后，所述充電保護芯片關(guān)閉所述充電控制MOS管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的充電保護電路，其特征在于，還包括第一MOS管，所述充電保護芯片包括GND引腳，所述第一MOS管分別與所述GND引腳和所述放電保護芯片連接，所述第一MOS管在接收到所述放電保護芯片發(fā)送的所述關(guān)閉信號之后，關(guān)閉所述GND引腳。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的充電保護電路，其特征在于，還包括第二MOS管，所述充電保護芯片包括VDD引腳，所述第二MOS管分別與所述VDD引腳和所述放電保護芯片連接，所述第二MOS管在接收到所述放電保護芯片發(fā)送的所述關(guān)閉信號之后，關(guān)閉所述VDD引腳。
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