[發明專利]基于VPX架構的國產龍芯3A3000高可靠刀片服務器在審
| 申請號: | 201910049813.2 | 申請日: | 2019-01-18 |
| 公開(公告)號: | CN109857218A | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發明(設計)人: | 王軍民;黎振興 | 申請(專利權)人: | 湖南勝云光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G06F1/18 | 分類號: | G06F1/18;G06F1/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 410205 湖南省長沙市長沙高新*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 龍芯 連接器 刀片服務器 核心模塊 核心載板 高可靠 高速連接器 架構 數據傳輸率 操作期間 插入損耗 差分結構 高可靠性 核心部件 連接緊密 外部系統 外設接口 龍芯CPU 硅晶片 接地層 結構件 誤碼率 觸點 放電 硅晶 片式 橋片 顯存 載板 針式 堅固 | ||
本發明公開了基于VPX架構的國產龍芯3A3000高可靠刀片服務器,基于VPX架構的國產龍芯3A3000高可靠刀片服務器由國產龍芯3A3000+7ACOM?E核心模塊、核心模塊載板以及結構件組成,該中國產龍芯3A3000+7ACOM?E核心模塊為刀片服務器的核心部件,它集成了龍芯CPU、龍芯橋片、顯存固件以及外設接口等,核心載板通過泰科高可靠性連接器固定在核心載板上,核心載板通過VPX高速連接器與外部系統連接器。本發明VPX高速連接器采用MutilGig RT2,該連接器采用硅晶片式差分結構,相對于傳統針式連接器,具有連接緊密、堅固、插入損耗小和誤碼率低的優點,每個差分對支持高達10Gbps的數據傳輸率,而且硅晶片都帶有ESD接地層和觸點層,防止操作期間意外放電的影響。
技術領域
本發明屬于服務器技術領域,具體為基于VPX架構的國產龍芯3A3000高可靠刀片服務器。
背景技術
目前,市面上的計算機CPU以Intel和AMD為主,二者的市場占有率達到了99%,而服務器市場僅Intel的市場占有率就超過了90%。隨著國家對國產CPU的支持力度加大,國產CPU在性能指標方面與一流產商之間的差距在逐步縮小,因此基于國產CPU的計算、服務器產品具備替代進口產品的可能。
對于高可靠性領域,基于CPCI和VEM為代表的加固系統發展的比較成熟和完善,并且得到了大量的應用,而對于海量數據時代,帶寬限制約了其發展。
發明內容
本發明的目的在于:為了解決現有的基于CPCI和VEM為代表的加固系統發展的比較成熟和完善,并且得到了大量的應用,而對于海量數據時代,帶寬限制約了其發展的問題,提供基于VPX架構的國產龍芯3A3000高可靠刀片服務器。
本發明采用的技術方案如下:
基于VPX架構的國產龍芯3A3000高可靠刀片服務器,基于VPX架構的國產龍芯3A3000高可靠刀片服務器由國產龍芯3A3000+7ACOM-E核心模塊、核心模塊載板以及結構件組成,該中國產龍芯3A3000+7ACOM-E核心模塊為刀片服務器的核心部件,它集成了龍芯CPU、龍芯橋片、顯存固件以及外設接口等,核心載板通過泰科高可靠性連接器固定在核心載板上,核心載板通過VPX高速連接器與外部系統連接器,核心載板上還集成了外圍接口電路、電源轉換電路、IPMI管理電路等。
其中,所述龍芯3A3000+7ACOM-E核心模塊采用龍芯3A3000四核處理器,主頻最高1.5GHz,橋片采用龍芯最新一代7A1000,片間通信采用HT3.0高速總線,板載4GB DDR3國產工業級內存顆粒及國產PMON FLASH,實現了主芯片全國產化,模塊支持豐富的I/O接口,包含:2路千兆網絡、32路PCI-E、6路USB2.0、3路SATA2.0等;顯示部分,支持1路VGA、1路24-bitLVDS信號。
其中,所述IPMI管理電路采用意法半導體的STM32F417作為管理芯片,IPMI管理芯片通過管理網口對外提供板卡管理服務,管理芯片采集CPU的溫度、板上電壓和溫度、控制板上供電、故障日志記錄、SNMP 警報發送、訪問系統事件日志等。
其中,所述VPX高速連接器采用MutilGig RT2 ,該連接器采用硅晶片式差分結構,每個差分對支持高達10Gbps的數據傳輸率,而且硅晶片都帶有ESD接地層和觸點層,VPX高速連接器用于刀片服務器與外部系統互聯,其信號定義遵循VITA信號定義標準。
綜上所述,由于采用了上述技術方案,本發明的有益效果是:
1、本發明中,VPX高速連接器采用MutilGig RT2 ,該連接器采用硅晶片式差分結構,相對于傳統針式連接器,具有連接緊密、堅固、插入損耗小和誤碼率低的優點,每個差分對支持高達10Gbps的數據傳輸率,而且硅晶片都帶有ESD接地層和觸點層,防止操作期間意外放電的影響。
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