[發明專利]顯示面板、陣列基板、過孔結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201910049723.3
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN109801848A
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 楊成紹;孫學超;曹可
• 申請（專利權）人: 合肥鑫晟光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種過孔結構的制備方法，其特征在于，包括：

提供一設有第一導電層的襯底以及覆蓋所述第一導電層和所述襯底的絕緣層；

在所述絕緣層對應于所述第一導電層的區域形成凹陷部，所述凹陷部的底部覆蓋所述第一導電層；

使形成有所述凹陷部的所述絕緣層在預設溫度下加熱預設時長；

去除經過加熱的所述絕緣層的所述凹陷部的底部，以得到暴露所述第一導電層的過孔。

2.根據權利要求1所述的過孔結構的制備方法，其特征在于，所述絕緣層的材料為感光樹脂，在所述絕緣層對應于所述第一導電層的區域形成凹陷部包括：

對所述絕緣層進行曝光并顯影，以在所述絕緣層對應于所述第一導電層的區域形成凹陷部，所述凹陷部的底部覆蓋所述第一導電層。

3.根據權利要求2所述的過孔結構的制備方法，其特征在于，對所述絕緣層進行曝光并顯影包括：

對所述絕緣層進行半曝光并顯影，以得到覆蓋所述第一導電層的半保留區和覆蓋所述襯底的至少部分區域的保留區，所述半保留區為凹陷部，所述凹陷部的底部覆蓋所述第一導電層。

4.根據權利要求1所述的過孔結構的制備方法，其特征在于，在所述絕緣層對應于所述第一導電層的區域形成凹陷部包括：

刻蝕所述絕緣層對應于所述第一導電層的區域，以形成凹陷部，所述凹陷部的底部覆蓋所述第一導電層。

5.根據權利要求1所述的過孔結構的制備方法，其特征在于，所述預設溫度為230-250℃，所述預設時長為20-60min。

6.根據權利要求1所述的過孔結構的制備方法，其特征在于，所述過孔結構的制備方法還包括：

形成覆蓋所述絕緣層的第二導電層，且所述第二導電層沿所述過孔的內壁延伸至所述過孔內并覆蓋所述第一導電層。

7.根據權利要求1所述的過孔結構的制備方法，其特征在于，所述凹陷部沿遠離所述第一導電層的方向擴張。

8.一種過孔結構，其特征在于，所述過孔結構由權利要求1-7任一項所述的方法制備而成。

9.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求8所述的過孔結構。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求9所述的陣列基板。