[發(fā)明專利]一種基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件及脈沖光纖激光器

有效

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• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN109687280B
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設計）人: 吳堅;汪進;王濤;來文昌;常洪祥;馬閻星;馬鵬飛;粟榮濤;姜曼;周樸;姜宗福
• 申請（專利權）人: 中國人民解放軍國防科技大學
• 主分類號: H01S3/11
• 分類號: H01S3/11;H01S3/10
• 代理公司: 43225 長沙國科天河知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 邱軼

1.一種基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件，其特征在于，包括偏振控制器與可飽和吸收體裝置；

所述可飽和吸收體裝置包括殼體以及設在殼體上的輸入光纖與輸出光纖，所述輸入光纖與偏振控制器的輸出端相連；

所述輸入光纖與輸出光纖在殼體內(nèi)通過可飽和吸收組件相連，所述可飽和吸收組件上設有可飽和吸收體，所述可飽和吸收體由黑砷磷制成。

2.根據(jù)權利要求1所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件，其特征在于，所述可飽和吸收組件包括位于殼體內(nèi)的第一連接光纖與第二連接光纖，所述可飽和吸收體為夾持在第一連接光纖的尾端與第二連接光纖的首端之間的黑砷磷薄膜，所述第一連接光纖的首端與輸入光纖相接，所述第二連接光纖的尾端與輸出光纖相接。

3.根據(jù)權利要求2所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件，其特征在于，所述黑砷磷薄膜的制備過程具體包括：

S1、將砷磷混合物、錫粉與四碘化錫以質(zhì)量比例10～60:1～3:0.5～1進行配料，將配料真空封裝在低壓的石英管中；

S2、將封好的石英玻璃管水平放置在加熱爐的加熱區(qū)，加熱加熱爐并在加熱后保持爐溫2～3h；

S3、在7～8h內(nèi)將爐溫冷卻至450～550℃以完成對加熱爐的第一次冷卻，并在第一次冷卻后保持爐溫3～4h；

S4、在3～4h內(nèi)將爐溫冷卻室溫以完成對加熱爐的第二次冷卻，第二次冷卻后在石英管的冷端得到黑砷磷晶體；

S5、將所得到的黑砷磷晶體進行電解，獲得液態(tài)二維的黑砷磷薄膜；

S6、對液態(tài)二維的黑砷磷薄膜進行抽濾，獲得固態(tài)二維的黑砷磷薄膜。

4.根據(jù)權利要求3所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件，其特征在于，步驟S1中，所述砷磷混合物中的砷為純度在99.99％以上的灰砷，所述砷磷混合物中的磷為純度在99.99％以上的紅磷晶體。

5.根據(jù)權利要求3所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件，其特征在于，步驟S1中，將配料真空封裝在低壓的石英管時控制石英管中配料的含量為15～30mg/cm³。

6.根據(jù)權利要求3所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件，其特征在于，步驟S1中，所述將配料真空封裝在低壓的石英管中具體為：

利用分子泵機組和氫氧火焰將配料真空封裝在5×10^-3～15×10^-3pa的石英管中。

7.據(jù)權利要求3所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件，其特征在于，步驟S3中，所述加熱加熱爐具體為：

以3～5℃/min的速度加熱加熱爐到700℃～800℃。

8.一種脈沖光纖激光器，其特征在于，包括泵浦源、波分復用器、增益光纖、偏振無關隔離器、第一光纖耦合器和第二光纖耦合器以及權利要求1至7任一項所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件；

所述波分復用器、增益光纖、偏振無關隔離器、基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件中的偏振控制器、基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件中的可飽和吸收體裝置、第一光纖耦合器通過光纖依次相連，所述泵浦源以及第一光纖耦合器的一個輸出端均與波分復用器的輸入端相接，所述第一光纖耦合器的另一個輸出端與第二光纖耦合器的輸入端相接；

所述偏振無關隔離器的輸出端與偏振控制器的輸入端相接；所述基于黑砷磷的脈沖激光調(diào)制組件中的輸出光纖與第一光纖耦合器的輸入端相接。

9.根據(jù)權利要求8所述脈沖光纖激光器，其特征在于，所述增益光纖為摻稀土離子單模光纖。

10.根據(jù)權利要求8所述脈沖光纖激光器，其特征在于，所述泵浦源為激光二極管。