[發明專利]用于電光移相器的溫度反饋

在審

• 申請號: 201910048299.0
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN110058433A
• 公開（公告）日: 2019-07-26
• 發明（設計）人: B.貝羅茨普爾;P.拉耶瓦爾迪;J.N.卡斯佩爾斯
• 申請（專利權）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: G02F1/015
• 分類號: G02F1/015;G02F1/025;G02F1/01
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張健;申屠偉進

1.一種光學發射器，包括：

光源；

波導，連接到所述光源以從所述光源接收光，所述波導被配置成將所述光傳播到輸出；

被并入到所述波導中的移相器，其可控制以改變所述波導在所述移相器處的折射率，所述移相器包括電觸點；

相移控制器，在所述電觸點處電連接到所述移相器，且可操作成控制被施加到所述移相器的電流和/或電壓以改變所述折射率；以及

溫度檢測部件，在相同電觸點處電連接到所述移相器，且可操作成生成指示所述移相器的溫度的信號。

2.如權利要求1所述的光學發射器，其中所述溫度檢測部件是正比于絕對溫度（PTAT）電路。

3.如權利要求1所述的光學發射器，進一步包括：控制器，連接到所述相移控制器和所述溫度檢測部件，且可操作成作為由所述溫度檢測部件生成的信號的函數而調整由所述相移控制器施加到所述移相器的電流和/或電壓。

4.如權利要求3所述的光學發射器，其中所述控制器在溫度檢測模式中被配置成且可操作成：中斷所述相移控制器的操作；以及在所述相移控制器被中斷時激活所述溫度檢測部件。

5.如權利要求4所述的光學發射器，其中所述控制器被配置且可操作在所述溫度檢測模式中達預定時段。

6.如權利要求4所述的光學發射器，其中所述控制器在所述相移控制器的操作期間以預定間隔被配置且可操作在所述溫度檢測模式中。

7.如權利要求6所述的光學發射器，其中所述控制器以所述預定間隔被配置且可操作在所述溫度檢測模式中達預定時段。

8.如權利要求3所述的光學發射器，其中所述控制器在溫度檢測模式中可操作成在不中斷所述相移控制器的操作的情況下激活所述溫度檢測部件。

9.如權利要求8所述的光學發射器，其中：

所述波導的所述移相器包括PN結；并且

所述電觸點在所述PN結處。

10.如權利要求1所述的光學發射器，進一步包括：

分束器，從所述光源接收光，所述分束器將所述光拆分到多個波導，所述多個波導中的每一個包括所述移相器和PN結處的所述電觸點，其中所述相移控制器電連接到所述多個波導中的每一個的電觸點，并且所述溫度檢測部件是電連接到所述多個波導中的每一個的電觸點的單個溫度檢測部件。

11.如權利要求10所述的光學發射器，進一步包括：控制器，連接到所述相移控制器和所述溫度檢測部件，且在溫度檢測模式中可操作成中斷所述相移控制器的操作以及在所述相移控制器被中斷時激活所述溫度檢測部件。

12.如權利要求11所述的光學發射器，其中所述控制器在所述溫度檢測模式中可操作成：在所述多個波導中的每一個的移相器之間復用所述溫度檢測部件。

13.一種用于連接到光源以從所述光源接收光的波導，包括：

p摻雜半導體層和n摻雜半導體層，被配置成將光傳播到輸出；

移相器，被并入到半導體層之間的PN結處，所述移相器被配置成改變所述波導在所述移相器處的折射率，所述移相器包括所述PN結處的電觸點；

相移控制器，在所述電觸點處電連接到所述移相器，且可操作成控制被施加到所述移相器的所述PN結的電流和/或電壓以改變所述折射率；以及

溫度檢測部件，在相同電觸點處電連接到所述移相器，且可操作成生成指示所述PN結處的所述移相器的溫度的信號。

14.如權利要求13所述的波導，其中所述溫度檢測部件是正比于絕對溫度（PTAT）電路。