[發明專利]半導體存儲器裝置及操作該半導體存儲器裝置的方法

在審

• 申請號: 201910048270.2
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN110534148A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 李熙烈
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/08
• 代理公司: 11002 北京路浩知識產權代理有限公司
• 代理人: 太香花;李青<國際申請>=<國際公布>=

本發明公開一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括存儲器單元陣列、外圍電路和控制邏輯。存儲器單元陣列可包括多個存儲器單元。外圍電路可將共享頁面數據編程在多個存儲器單元之中的所選擇的存儲器單元上。控制邏輯可在對所選擇的存儲器單元的編程操作期間，控制外圍電路，以將共享頁面數據的第一部分數據編程到所選擇的存儲器單元之中聯接到第一字線的存儲器單元，并且將共享頁面數據的第二部分數據編程到所選擇的存儲器單元之中聯接到不同于第一字線的第二字線的存儲器單元。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2018年5月24日提交的申請號為10-2018-0059291的韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用并入本文。

技術領域

本公開的各個實施例總體涉及一種電子裝置，且更特別地，涉及一種半導體存儲器裝置及操作該半導體存儲器裝置的方法。

背景技術

通常，存儲器裝置可具有二維結構或三維結構，在二維結構中串被水平地布置在半導體襯底上，在三維結構中串被垂直地堆疊在半導體襯底上。三維存儲器裝置可以是被設計成克服二維存儲器裝置的集成度限制的裝置，并且可包括垂直地堆疊在半導體襯底上的多個存儲器單元。

發明內容

本公開的各個實施例涉及一種能夠提高數據集成度的半導體存儲器裝置。

本公開的各個實施例涉及一種操作能夠提高數據集成度的半導體存儲器裝置的方法。

本公開的實施例可提供一種半導體存儲器裝置，包括存儲器單元陣列、外圍電路和控制邏輯。存儲器單元陣列可包括多個存儲器單元。外圍電路可將共享頁面數據編程在多個存儲器單元之中的所選擇的存儲器單元上。控制邏輯可在對所選擇的存儲器單元的編程操作期間，控制外圍電路，以將共享頁面數據的第一部分數據編程到所選擇的存儲器單元之中聯接到第一字線的存儲器單元，并且將共享頁面數據的第二部分數據編程到所選擇的存儲器單元之中聯接到不同于第一字線的第二字線的存儲器單元。

在實施例中，控制邏輯可控制外圍電路以生成用于第一頁面數據和共享頁面數據的第一位狀態映射關系；通過將包括在第一位狀態映射關系中的狀態之中包括在第一組中的狀態彼此組合來生成第二位狀態映射關系；并且基于第二位狀態映射關系對第一頁面數據和第一部分數據進行編程。

在實施例中，控制邏輯可控制外圍電路以生成用于第二頁面數據和共享頁面數據的第一位狀態映射關系；通過將包括在第一位狀態映射關系中的狀態之中包括在第二組中的狀態彼此組合來生成第三位狀態映射關系；并且基于第三位狀態映射關系對第二頁面數據和第二部分數據進行編程。

在實施例中，第一頁面數據可包括第一最高有效位(MSB)頁面數據和第一中央有效位(CSB)頁面數據。第二頁面數據可包括第二MSB頁面數據和第二CSB頁面數據。共享頁面數據可以是最低有效位(LSB)頁面數據。聯接到第一字線的存儲器單元和聯接到第二字線的存儲器單元可一起存儲共計五個位。

在實施例中，第一位狀態映射關系可包括八個級別的狀態，第一組可包括第一狀態、第二狀態、第三狀態和第四狀態，第二組可包括第五狀態、第六狀態、第七狀態和第八狀態。第二位狀態映射關系可通過將第一和第二狀態彼此組合并將第三和第四狀態彼此組合來生成。第三位狀態映射關系可通過將第五和第六狀態彼此組合并將第七和第八狀態彼此組合來生成。

在實施例中，第一頁面數據可包括第一最高有效位(MSB)頁面數據、第一較高中央有效位(HCSB)頁面數據和第一較低中央有效位(LCSB)頁面數據。第二頁面數據可包括第二MSB頁面數據、第二HCSB頁面數據和第二LCSB頁面數據。共享頁面數據可以是最低有效位(LSB)頁面數據。聯接到第一字線的存儲器單元和聯接到第二字線的存儲器單元可一起存儲共計七個位。