[發明專利]氮化鎵基發光二極管外延片及其制造方法

有效

• 申請號: 201910048012.4
• 申請日: 2019-01-18
• 公開（公告）號: CN109768133B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 陶章峰;張武斌;喬楠;李鵬;胡加輝
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種氮化鎵基發光二極管外延片，所述氮化鎵基發光二極管外延片包括襯底、以及依次生長在所述襯底上的低溫緩沖層、三維成核層、二維恢復層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層、電子阻擋層和P型層，所述多量子阱層包括交替生長的量子阱層和量子壘層，所述量子阱層為InGaN層，所述電子阻擋層為AlGaN層，其特征在于，

所述量子壘層包括第一量子壘層和第二量子壘層，所述第二量子壘層為所述多量子阱層中最靠近所述電子阻擋層的一個量子壘層，所述第一量子壘層為除所述第二量子壘層之外的量子壘層，所述第一量子壘層為GaN層，所述第二量子壘層包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層為GaN層，所述第一子層與所述量子阱層接觸，所述第二子層和所述第三子層均包括交替生長的InGaN層和AlGaN層，所述第三子層中摻有Mg，所述第三子層中的InGaN層與所述電子阻擋層接觸；

所述第一子層的厚度為0.5～1.5nm，所述第二子層的厚度為2～6nm，所述第三子層的厚度為3～7nm。

2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層中的InGaN層和所述第二子層中的AlGaN層的厚度相等。

3.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第二子層包括m層InGaN層和m層AlGaN層，m為大于0的正整數。

4.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第三子層中的InGaN層和所述第三子層中的AlGaN層的厚度相等。

5.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第三子層包括n+1層InGaN層和n層AlGaN層，n為大于0的正整數。

6.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管外延片，其特征在于，所述第三子層中的Mg的摻雜濃度為1×10⁶～1×10⁷cm^-3。

7.一種氮化鎵基發光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長低溫緩沖層、三維成核層、二維恢復層、未摻雜的GaN層、N型層、多量子阱層、電子阻擋層和P型層；

其中，所述電子阻擋層為AlGaN層，所述多量子阱層包括交替生長的量子阱層和量子壘層，所述量子阱層為InGaN層，所述量子壘層包括第一量子壘層和第二量子壘層，所述第二量子壘層為所述多量子阱層中最靠近所述電子阻擋層的一個量子壘層，所述第一量子壘層為除所述第二量子壘層之外的量子壘層，所述第一量子壘層為GaN層，所述第二量子壘層包括依次層疊的第一子層、第二子層和第三子層，所述第一子層為GaN層，所述第一子層與所述量子阱層接觸，所述第二子層和所述第三子層均包括交替生長的InGaN層和AlGaN層，所述第三子層中摻有Mg，所述第三子層中的InGaN層與所述電子阻擋層接觸；

所述第一子層的厚度為0.5～1.5nm，所述第二子層的厚度為2～6nm，所述第三子層的厚度為3～7nm。