[發明專利]一種污水深度凈化裝置

在審

• 申請號: 201910044103.0
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN110040903A
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發明（設計）人: 吳以伯;閆承凱
• 申請（專利權）人: 大淵環境技術（廈門）有限公司
• 主分類號: C02F9/14
• 分類號: C02F9/14;C02F101/16
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 郭錦輝;陳藝琴

1.一種污水深度凈化裝置，其特征在于，包括格柵，曝氣沉砂池，生化處理池，二沉池，等離子體單元，氫還原脫氮單元，混凝沉淀池，氣體處理單元和污泥濃縮單元；

所述等離子體單元包括等離子體機；

所述污泥濃縮單元包括污泥濃縮池和污泥脫水機；

所述格柵，曝氣沉砂池，生化處理池，二沉池，等離子體單元，氫還原脫氮單元，混凝沉淀池依次連接，污水經過格柵過濾和曝氣沉淀池沉淀后經過生化處理池和二沉池進行生化處理及沉淀，然后經過等離子體單元處理后進入氫還原脫氮單元脫除氨氮和總氮最后再經過混凝沉淀池進行混凝沉淀；

污泥濃縮單元則對所述格柵，曝氣沉砂池，生化處理池，二沉池，氫還原脫氮單元和混凝沉淀池產生的沉淀進行污泥濃縮及過濾。

所述氣體處理單元對所述生化處理池和二沉池產生的沼氣經收集、淋洗、吸收和凈化處理。

2.根據權利要求1所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，水體分別通過提升泵泵入所述生化處理池和等離子體單元。

3.根據權利要求1所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述格柵包括粗格柵和細格柵。

4.根據權利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述生化處理池為氧化溝生化處理系統、AA/O生化處理系統、SBR生化處理系統或生物曝氣過濾處理系統。

5.根據權利要求4所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述氧化溝生化處理系統是Pasveer氧化溝、T型三溝式氧化溝、DE型氧化溝、Carrousel氧化溝或Orbal氧化溝。

6.根據權利要求4所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述AA/O生化處理系統是應用的A2/O工藝或UCT工藝。

7.根據權利要求4所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述SBR生化處理系統是應用傳統SBR工藝、CAST工藝、UNITANK工藝或MSBR工藝。

8.根據權利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述等離子體機的脈沖工作電壓為350～10000V，相鄰兩電極間的電壓為6～9V，頻率為2400～2600MHz，電流密度為1～600mA/cm²,步驟(4)中污水在電解機中的停留時間為5s～10min。

9.根據權利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述等離子體機設有脈沖電源和等離子發生槽，所述離子發生槽內的陰極為鈦、鐵、鋁、鋅、銅、鉛、鎳、鉬、鉻、有貴金屬氧化物涂層的惰性電極中的一種，陽極為有貴金屬氧化物涂層的惰性電極，電極為板狀或網狀。

10.根據權利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀使用的混凝劑為鐵鹽、鋁鹽、聚鋁、聚鐵的一種或任意兩種以上組合；所述鐵鹽為硫酸鐵、硫酸亞鐵；所述鋁鹽為硫酸鋁或氯化鋁；所述聚鋁為聚合氯化鋁、聚合硫酸鋁或聚合硅酸鋁；所述聚鐵為聚合氯化鐵、聚合硫酸鐵或聚合硅酸鐵；所述混凝劑的用量為1～50g/m³。

11.根據權利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，所述混凝沉淀池中的混凝沉淀中使用的助凝劑為PAM，用量為1～3g/m³。

12.根據權利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，在所述混凝沉淀池前設置pH檢測裝置，當檢測水體的pH小于7時，在水體中加入氫氧化鈉或碳酸鈉調節水體的pH值為7～9。

13.根據權利要求1-3之一所述的污水深度凈化裝置，其特征在于，在所述曝氣沉砂池和生化處理池之間設置初沉池。