[發明專利]一種加載超表面的寬帶低副瓣圓極化陣列天線有效
| 申請號: | 201910043379.7 | 申請日: | 2019-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN109638477B | 公開(公告)日: | 2021-08-17 |
| 發明(設計)人: | 張城;杜劉革;趙佳 | 申請(專利權)人: | 山東大學 |
| 主分類號: | H01Q21/06 | 分類號: | H01Q21/06;H01Q21/24;H01Q21/00;H01Q1/50;H01Q15/00 |
| 代理公司: | 濟南金迪知識產權代理有限公司 37219 | 代理人: | 許德山 |
| 地址: | 250199 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 加載 表面 寬帶 低副瓣圓 極化 陣列 天線 | ||
1.一種加載超表面的寬帶低副瓣圓極化陣列天線,其特征在于,從上到下依次層疊有超表面、介質層二、輻射貼片及饋電網絡、介質層一、接地板,所述輻射貼片上加載有所述超表面;
所述饋電網絡包括沿X軸依次排列的四個子陣列,每個子陣列包括沿Y軸方向排列的兩個輻射貼片及連接兩個輻射貼片的一個一分二的等功分器,一分二的等功分器使得兩個輻射貼片激勵電流的幅度比為1:1,相位相差90°;四個子陣列均連接一個一分四的不等分功分器,使得在工作頻率5.8GHz時四個子陣列的輸出端口電流的比值為1:1.84:1.84:1,在工作頻率為4GHz到6GHz時四個子陣列的輸出端口電流的比值為1:1.82:1.82:1-1:1.86:1.86:1;
所述介質層二上設置有四個子陣列,子陣列為設置在所述介質層一上的2*1輻射貼片;在8個輻射貼片上加載有2個8*8超表面。
2.根據權利要求1所述的一種加載超表面的寬帶低副瓣圓極化陣列天線,其特征在于,所述輻射貼片輻射邊中心處串聯一段傳輸線,通過所述傳輸線連接所述饋電網絡。
3.根據權利要求2所述的一種加載超表面的寬帶低副瓣圓極化陣列天線,其特征在于,所述傳輸線的長度為1.5-1.7mm。
4.根據權利要求2所述的一種加載超表面的寬帶低副瓣圓極化陣列天線,其特征在于,所述傳輸線的長度為1.685mm。
5.根據權利要求1所述的一種加載超表面的寬帶低副瓣圓極化陣列天線,其特征在于,所述介質層二為厚度為0.524mm-5mm型號為RT/duriod5880的介質板;所述介質層一為厚度為0.524mm-5mm型號為RT/duriod5880的介質板,所述介質層二貼合在所述介質層一上。
6.根據權利要求1所述的一種加載超表面的寬帶低副瓣圓極化陣列天線,其特征在于,所述介質層二的厚度為2mm;所述介質層一的厚度為1mm。
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