[發明專利]可靠度判斷方法以及存儲裝置

有效

• 申請號: 201910043243.6
• 申請日: 2019-01-17
• 公開（公告）號: CN111460600B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發明（設計）人: 梁勝輝;白煌朗;許家銘;陳佳麟
• 申請（專利權）人: 世界先進積體電路股份有限公司
• 主分類號: G06F30/20
• 分類號: G06F30/20;G06F30/398;G06F119/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤;任默聞

1.一種可靠度判斷方法，用以測試一批量的半導體裝置，其特征在于，包括：

取得所述批量的半導體裝置的壽命的一韋伯分布，其中所述取得所述批量的半導體裝置的所述韋伯分布的步驟包括：

取得一崩潰電壓；

對所述批量的半導體裝置的一絕緣層施加一應力電壓，并量測所述絕緣層的一應力電流，其中所述應力電壓低于所述崩潰電壓且高于一基礎電壓；

對所述批量的半導體裝置的所述絕緣層施加所述基礎電壓，并量測所述絕緣層的一基礎電流；

比較所述應力電流以及所述基礎電流，判斷所述半導體裝置的一壽命分布；以及

根據所述壽命分布，取得所述韋伯分布；

將所述韋伯分布至少劃分為一第一區段以及一第二區段，其中所述第一區段以及所述第二區段皆符合一第一信心水準；

根據所述第一信心水準，產生所述第一區段的一第一趨勢線以及所述第二區段的一第二趨勢線，其中所述第一趨勢線具有一第一斜率，所述第二趨勢線具有一第二斜率；

判斷所述第一區段的所述第一斜率大于所述第二區段的所述第二斜率；以及

根據所述第一區段判斷所述批量的半導體裝置于目標品質水準下的一預測可靠度。

2.如權利要求1所述的可靠度判斷方法，其特征在于，所述根據所述第一區段判斷所述批量的半導體裝置于所述目標品質水準下的所述預測可靠度的步驟更包括：

通過將所述第一區段執行一外插法至所述目標品質而得所述預測可靠度。

3.如權利要求1所述的可靠度判斷方法，其特征在于，所述絕緣層為一前段處理工藝、一中段處理工藝及/或一后段處理工藝的絕緣層。

4.如權利要求1所述的可靠度判斷方法，其特征在于，更包括：

根據所述第一信心水準，擴充所述第一區段的一第一樣本數量至一預定數量而為一第一擴充區段；以及

根據所述第一信心水準，擴充所述第二區段的一第二樣本數量至所述預定數量而為一第二擴充區段，其中所述預定數量與所述目標品質水準有關。

5.如權利要求4所述的可靠度判斷方法，其特征在于，更包括：

將所述第一擴充區段與所述第二擴充區段相結合，產生一擴充韋伯分布；

將所述擴充韋伯分布至少劃分為一第一模擬區段以及一第二模擬區段，其中所述第一模擬區段以及所述第二模擬區段符合一第二信心水準，其中所述第一模擬區段具有一第一模擬趨勢線，所述第二模擬區段具有一第二模擬趨勢線，其中所述第一模擬趨勢線具有一第一模擬斜率，所述第二模擬趨勢線具有一第二模擬斜率；

判斷所述第一模擬區段的所述第一模擬斜率大于所述第二模擬區段的所述第二模擬斜率；以及

根據所述第一模擬區段，判斷所述批量的半導體裝置于所述目標品質水準下的所述預測可靠度。

6.一種存儲裝置，可被一機器存取且用以存儲一指令程式，其特征在于，所述機器執行所述指令程式而執行一可靠度測試方法，其中所述可靠度測試方法用以測試一批量的半導體裝置，所述可靠度方法包括：

取得所述批量的半導體裝置的壽命的一韋伯分布，其中所述可靠度判斷方法的所述取得所述批量的半導體裝置的所述韋伯分布的步驟包括：

取得一崩潰電壓；

對所述批量的半導體裝置的一絕緣層施加一應力電壓，并量測所述絕緣層的一應力電流，其中所述應力電壓低于所述崩潰電壓且高于一基礎電壓；

對所述批量的半導體裝置的所述絕緣層施加所述基礎電壓，并量測所述絕緣層的一基礎電流；

比較所述應力電流以及所述基礎電流，判斷所述半導體裝置的一壽命分布；以及

根據所述壽命分布，取得所述韋伯分布；

將所述韋伯分布至少劃分為一第一區段以及一第二區段，其中所述第一區段以及所述第二區段皆符合一第一信心水準；

根據所述第一信心水準，產生所述第一區段的一第一趨勢線以及所述第二區段的一第二趨勢線，其中所述第一趨勢線具有一第一斜率，所述第二趨勢線具有一第二斜率；

判斷所述第一區段的所述第一斜率大于所述第二區段的所述第二斜率；以及

根據所述第一區段判斷所述批量的半導體裝置于目標品質水準下的一預測可靠度。