[發明專利]一種電泳沉積法制備的二維MXene膜在離子截留中的應用

有效

• 申請號: 201910040440.2
• 申請日: 2019-01-16
• 公開（公告）號: CN109701397B
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 魏嫣瑩;鄧俊杰;王海輝;李理波;盧縱
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: B01D67/00
• 分類號: B01D67/00;B01D71/02;C25D13/02
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳智英

1.一種二維MXene膜在離子截留中的應用，其特征在于：所述二維MXene膜是利用電泳沉積法得到，具體是將MXene納米片溶液進行電泳沉積；

所述二維MXene膜具體通過以下步驟得到：

(1)將5g氟化鋰加入100mL 6mol/L的鹽酸溶液中，攪拌均勻，加入5g的Ti₃AlC₂粉末，350rpm攪拌反應24h，2500rpm離心10min，去離子水洗滌至pH為6，60℃干燥12h，得到Ti₃C₂T_xMXene粉末；

(2)將Ti₃C₂T_x粉末分散到水中，超聲2h，離心，取上層溶液，即為MXene納米片溶液，濃度為2mg/mL；

(3)取Ti₃C₂T_x的MXene溶液于容器中，插入正負極導電帶孔基底，通電進行電泳沉積，恒電壓為30V，時間為5min，然后取出基底真空干燥，獲得二維MXene膜。

2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于：包括以下步驟：將二維MXene膜置于離子截留裝置中，膜的一側加入離子化合物溶液，膜的另一側加入水，二維MXene膜實現離子截留。

3.根據權利要求2所述的應用，其特征在于：所述離子化合物溶液的濃度為0.01～2mol/L；所述離子化合物為氯化鈉、氯化鋰、氯化鉀、氯化鎂、氯化鋁、氯化銅、硫酸鈉、硫酸鋰、硫酸鉀、硫酸鋁中一種以上。

4.根據權利要求3所述的應用，其特征在于：所述離子化合物為氯化鋁、氯化銅、硫酸鋁中一種以上。