[發明專利]氧化電極、其制造方法以及包含其的電解裝置有效
| 申請號： | 201910039665.6 | 申請日： | 2019-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN110054259B | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 趙康佑 | 申請（專利權）人： | 浦項工科大學校產學協力團 |
| 主分類號： | C02F1/461 | 分類號： | C02F1/461 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 苗堃;金世煜 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化 電極 制造 方法 以及 包含 電解 裝置 | ||
1.一種用于電化學廢水處理的氧化電極，包括：
支承體；
具備在所述支承體的至少一面上的電子傳輸層；以及
具備在所述電子傳輸層的一面上的界面反應層，
所述電子傳輸層包含由下述化學式1表示的復合金屬氧化物：
化學式1
NixFe(1-x)Oy
所述化學式1中，
x為Ni的原子數，(1-x)為Fe的原子數，y為O的原子數，
x為0.2～0.5，y為1～1.5。
2.根據權利要求1所述的氧化電極，其中，所述電子傳輸層的厚度為100μm～200μm。
3.根據權利要求1所述的氧化電極，其中，所述界面反應層包含TiO2、SnO2、Nb2O5和PbO2中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的氧化電極，其中，所述界面反應層與所述電子傳輸層的厚度比為1:2至1:4。
5.根據權利要求1所述的氧化電極，其中，所述支承體由Ti材質構成。
6.根據權利要求1所述的氧化電極，其中，在所述電子傳輸層與所述界面反應層的接合面形成金屬離子的濃度梯度。
7.根據權利要求6所述的氧化電極，其中，在所述電子傳輸層與所述界面反應層的接合面形成如下的濃度梯度：
所述界面反應層所包含的金屬離子的濃度從所述接合面的中心部朝向所述界面反應層方向增加，所述電子傳輸層所包含的金屬離子的濃度從所述接合面的中心部朝向所述電子傳輸層方向增加。
8.一種根據權利要求1所述的用于電化學廢水處理的氧化電極的制造方法，包括以下步驟：
準備支承體的步驟；
在所述支承體的至少一面上形成包含含有Ni和Fe的金屬離子的復合金屬氧化物的電子傳輸層的步驟；以及
在所述電子傳輸層上形成界面反應層的步驟，
形成所述電子傳輸層的步驟包括將含有Ni前體和Fe前體的電子傳輸層前體溶液涂布于所述支承體的至少一面上后進行熱處理。
9.根據權利要求8所述的制造方法，其中，所述Ni前體和Fe前體的摩爾比為1:1至1:4。
10.根據權利要求8所述的制造方法，其中，所述電子傳輸層前體溶液的金屬離子的濃度為100mM～500mM。
11.根據權利要求8所述的制造方法，其中，形成所述界面反應層的步驟包括在將界面反應層前體溶液涂布于所述電子傳輸層上后進行熱處理。
12.根據權利要求8所述的制造方法，其中，所述界面反應層前體溶液包含Ti前體、Sn前體、Nb前體和Pb前體中的至少一種。
13.根據權利要求8所述的制造方法，其中，在所述形成界面反應層的步驟后還包括進行擴散熱處理而在所述電子傳輸層與所述界面反應層的接合面形成金屬離子的濃度梯度的步驟。
14.根據權利要求13所述的制造方法，其中，在所述電子傳輸層與所述界面反應層的接合面形成如下的濃度梯度：
所述界面反應層所包含的金屬離子的濃度從所述接合面的中心部朝向所述界面反應層方向增加，所述電子傳輸層所包含的金屬離子的濃度從所述接合面的中心部朝向所述電子傳輸層方向增加。
15.一種包含權利要求1所述的用于電化學廢水處理的氧化電極的電解裝置。
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