[發(fā)明專利]閃存芯片銷毀裝置、電子裝置及閃存芯片銷毀方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910039312.6 | 申請日： | 2019-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN109759421B | 公開（公告）日： | 2020-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓壽德 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市領(lǐng)存技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | B09B3/00 | 分類號： | B09B3/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 閃存 芯片 銷毀 裝置 電子 方法 | ||
一種閃存芯片銷毀裝置、電子裝置和閃存芯片銷毀方法，該閃存芯片銷毀裝置包括控制電路，與控制電路連接的銷毀高壓輸出電路和觸發(fā)電路；銷毀高壓輸出電路的高壓輸出端與閃存芯片的VPP引腳連接，通過高壓輸出端中的目標(biāo)高壓輸出端向目標(biāo)VPP引腳輸入銷毀電壓，可實現(xiàn)對待銷毀芯片的銷毀，本申請采用的是對VPP引腳輸入電壓的方式銷毀待銷毀芯片，所以對銷毀電壓的要求較低，僅需數(shù)十伏的電壓即可，極大降低了銷毀高壓輸出電路實現(xiàn)的成本和難度，并且基于VPP引腳的特性，多個閃存芯片的VPP引腳可并聯(lián)，基于本實施例可同時銷毀多個閃存芯片，而無需對閃存芯片逐片銷毀，提升了閃存芯片銷毀速度，有效減少了銷毀裝置的器件數(shù)量，簡化了銷毀裝置的電路。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及終端技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存芯片銷毀裝置、電子裝置及閃存芯片銷毀方法。
背景技術(shù)
目前，半導(dǎo)體器件的銷毀方式一般分化學(xué)銷毀、機(jī)械粉碎、以及電銷毀方式等。對于閃存芯片(NAND FLASH)來說，現(xiàn)有的電銷毀技術(shù)主要根據(jù)高壓所輸入的芯片管腳來區(qū)分，分成VCC(閃存芯片的內(nèi)核電源輸入腳)/VCCQ(閃存芯片的IO電源輸入腳)電源口銷毀方式、以及數(shù)據(jù)IO口/控制邏輯IO口銷毀方式兩大類。
其中，數(shù)據(jù)IO口銷毀方式的主要物理機(jī)制是百伏級的高壓擊穿，優(yōu)點(diǎn)是不需要大電流外部銷毀電源，但在銷毀芯片時需逐片銷毀，導(dǎo)致控制電路十分復(fù)雜、銷毀時間長、以及對芯片正常工作電路有一定影響等缺點(diǎn)。
而VCC/VCCQ電源口銷毀方式的主要物理機(jī)制是安培級的大電流融毀，在這種銷毀方式中，單一芯片銷毀時所需的電流非常大，若需要多片芯片同時銷毀，將導(dǎo)致外部銷毀電源難以負(fù)擔(dān)如此大的電流，因此該方式同樣需要逐片銷毀芯片，仍存在銷毀時間長(每片銷毀時間耗時數(shù)秒)、以及控制電路復(fù)雜等缺點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請實施例提供一種閃存芯片銷毀裝置、電子裝置及閃存芯片銷毀方法，有利于降低對銷毀電源的要求、降低銷毀電路的復(fù)雜性以及提升銷毀速度。
本申請實施例第一方面提供一種閃存芯片銷毀裝置，該閃存芯片銷毀裝置包括：控制電路，與控制電路連接的銷毀高壓輸出電路和觸發(fā)電路，其中，所述銷毀高壓輸出電路的高壓輸出端與閃存芯片的VPP引腳連接；
所述觸發(fā)電路，用于獲取銷毀觸發(fā)信號，將所述銷毀觸發(fā)信號發(fā)送給所述控制電路；
所述控制電路，用于在接收到所述銷毀觸發(fā)信號后，生成銷毀控制信號，將所述銷毀控制信號發(fā)送給所述銷毀高壓輸出電路，其中，所述銷毀控制信號用于控制所述高壓輸出端中的目標(biāo)高壓輸出端輸出銷毀電壓，與所述目標(biāo)高壓輸出端連接的VPP引腳為目標(biāo)VPP引腳，所述目標(biāo)VPP引腳所在的閃存芯片為待銷毀芯片；
所述銷毀高壓輸出電路，用于在接收到所述銷毀控制信號后，通過所述目標(biāo)高壓輸出端向所述待銷毀芯片的目標(biāo)VPP引腳輸入所述銷毀電壓，以燒毀所述待銷毀芯片上與所述目標(biāo)VPP引腳連通的電路。
本申請實施例第二方面提供一種電子裝置，該電子裝置包括閃存芯片以及本申請實施例第一方面提供的閃存芯片銷毀裝置。
本申請實施例第三方面提供一種閃存芯片銷毀方法，應(yīng)用于與閃存芯片連接的閃存芯片銷毀裝置，該閃存芯片銷毀方法包括：
所述閃存芯片銷毀裝置中的觸發(fā)電路獲取銷毀觸發(fā)信號，將所述銷毀觸發(fā)信號發(fā)送給所述閃存芯片銷毀裝置的控制電路，其中，所述控制電路與所述閃存芯片銷毀裝置中的銷毀高壓輸出電路連接，所述銷毀高壓輸出電路的高壓輸出端與閃存芯片的VPP引腳連接；
所述控制電路在接收到所述銷毀觸發(fā)信號后，生成銷毀控制信號，將所述銷毀控制信號發(fā)送給所述銷毀高壓輸出電路，其中，所述銷毀控制信號用于控制所述高壓輸出端中的目標(biāo)高壓輸出端輸出銷毀電壓，與所述目標(biāo)高壓輸出端連接的VPP引腳為目標(biāo)VPP引腳，所述目標(biāo)VPP引腳所在的閃存芯片為待銷毀芯片；
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