[發(fā)明專(zhuān)利]一種多層基板低電感功率模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910036104.0
• 申請(qǐng)日: 2019-01-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109921612A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-06-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 華慶;鄭家興;王士鑫;冷嚴(yán);任俊峰
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 山東師范大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H02M1/00
• 分類(lèi)號(hào): H02M1/00;H01L25/16
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 董雪

1.一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于：包括基板，所述基板包括第一基板層，與第一基板層電連接的第三基板層，用于基板散熱的第五基板層，以及設(shè)置于第一基板層和第三基板層之間并配置為使第一基板層和第三基板層電氣隔離的第二基板層，設(shè)置于第三基板層和第五基板層之間并配置為使第三基板層和第五基板層電氣隔離的第四基板層，其中，所述第一基板層被配置為載送沿第一方向流動(dòng)的開(kāi)關(guān)電流，所述第三基板層被配置為載送沿第二方向流動(dòng)的開(kāi)關(guān)電流，且所述第一方向和第二方向相反。

2.如權(quán)利要求1所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述功率模塊包括功率電路，所述功率電路包括第一電極與第一電源端子相連的各高側(cè)功率半導(dǎo)體器件，以及第二電極與第二電源端子相連的各低側(cè)功率半導(dǎo)體器件，其中所述各高側(cè)功率半導(dǎo)體器件的第二電極分別與對(duì)應(yīng)的各低側(cè)功率半導(dǎo)體器件的第一電極連接，并在連接點(diǎn)處分別形成各自的輸出端子。

3.如權(quán)利要求2所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述第一電源端子與第一基板層電連接，所述各高側(cè)功率半導(dǎo)體器件以及各低側(cè)功率半導(dǎo)體器件設(shè)置于第一基板層上，所述第二電源端子與第三基板層電連接。

4.如權(quán)利要求2所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述功率電路還包括高側(cè)二極管和低側(cè)二極管，所述高側(cè)二極管與所述高側(cè)功率半導(dǎo)體器件反向并聯(lián)連接，所述低側(cè)二極管與所述低側(cè)功率半導(dǎo)體器件反向并聯(lián)連接。

5.如權(quán)利要求2-4任一所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述高側(cè)功率半導(dǎo)體器件和低側(cè)功率半導(dǎo)體器件可以為IGBT或MOSFET。

6.如權(quán)利要求2所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述各高側(cè)功率半導(dǎo)體器件的第三電極分別通過(guò)各高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路與相應(yīng)的各高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)端子相連，所述各高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路被配置為載送沿第三方向的驅(qū)動(dòng)電流。

7.如權(quán)利要求6所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述各低側(cè)功率半導(dǎo)體器件的第三電極分別通過(guò)各低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路與相應(yīng)的各低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)端子相連，所述各低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路被配置為載送沿第四方向的驅(qū)動(dòng)電流。

8.如權(quán)利要求7所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述第三方向與第四方向相同，并與所述第一方向和第二方向相垂直。

9.如權(quán)利要求4所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述第一基板層上設(shè)有若干導(dǎo)電圖案及引線，所述導(dǎo)電圖案及引線被配置為使所述高側(cè)功率半導(dǎo)體器件、低側(cè)功率半導(dǎo)體器件、高側(cè)二極管和低側(cè)二極管連接成相應(yīng)電路。

10.如權(quán)利要求6所述的一種多層基板低電感功率模塊，其特征在于，所述第一基板層上還設(shè)有各柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)電圖案，所述各柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)電圖案通過(guò)引線分別與各高側(cè)功率半導(dǎo)體器件的第三電極以及各低側(cè)功率半導(dǎo)體器件的第三電極相連。