[發(fā)明專利]發(fā)光二極管的外延片及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910035234.2 | 申請日： | 2019-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN109994580B | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王曼;孫正;周飚;胡加輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 外延 及其 制作方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管的外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底和依次形成在所述襯底上的AlN緩沖層、u型GaN層、n型GaN層、多量子阱層和p型層，其中，所述多量子阱層包括多層InGaN層和多層AlxGa1-xN層交替層疊形成的周期結(jié)構(gòu)，其中，0＜x＜0.5，所述多層AlxGa1-xN層中摻雜有Si，從所述n型GaN層一側(cè)向所述p型層一側(cè)，所述多層AlxGa1-xN層中的Al的組分含量和Si的摻雜濃度均逐漸增大，所述多量子阱層包括10個AlxGa1-xN層，從所述n型GaN層一側(cè)向所述p型層一側(cè)，10個所述AlxGa1-xN層的Si的摻雜濃度依次為1016cm-3、2×1016cm-3、3×1016cm-3、4×1016cm-3、5×1016cm-3、6×1016cm-3、7×1016cm-3、8×1016cm-3、9×1016cm-3、1017cm-3，所述InGaN層的厚度為1～4nm，所述AlxGa1-xN層的厚度為8～18nm，所述p型層包括依次層疊的低溫p型GaN層、AlyGa1-yN電子阻擋層、高溫p型GaN層和p型GaN接觸層，其中0.1y0.5，所述低溫p型GaN層的厚度為20nm～100nm，所述AlyGa1-yN電子阻擋層的厚度為200nm～1000nm，所述高溫p型GaN層的厚度為100nm～800nm，所述p型GaN接觸層的厚度為5nm～300nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，同一層所述AlxGa1-xN層中的Al的組分含量和Si的摻雜濃度均保持恒定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片，其特征在于，從所述n型GaN層一側(cè)向所述p型層一側(cè)，同一層所述AlxGa1-xN層中的Al的組分含量和Si的摻雜濃度均逐漸增大。
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