[發明專利]基于非晶銦鎵鋅薄膜的柔性薄膜晶體管及其制造方法在審
| 申請號： | 201910034420.4 | 申請日： | 2019-01-15 |
| 公開（公告）號： | CN109801975A | 公開（公告）日： | 2019-05-24 |
| 發明（設計）人： | 秦國軒;裴智慧 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 劉國威 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性薄膜晶體管 薄膜 柔性器件 柵介質膜 漏電極 鋅薄膜 底柵 非晶 銦鎵 制備 高介電常數柵介質層 制造 大規模集成電路 底柵結構晶體管 電路元器件 晶體管設計 磁控濺射 低溫工藝 底柵電極 頂部設置 二氧化鉿 光電器件 應用提供 晶體管 襯底 聯通 驅動 應用 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于非晶銦鎵鋅薄膜的柔性薄膜晶體管制造方法，其特征是，步驟如下：
a、選用聚對苯二甲酸乙二醇酯PET柔性材料作為襯底，首先將PET放進盛有丙酮溶液的燒杯中，然后在超聲波清洗器中清洗5分鐘，隨后使用異丙醇溶液將用丙酮清洗過的PET在超聲波清洗器中將丙酮清洗干凈，得到較為清潔的襯底；
b、采用磁控濺射在PET襯底上鍍200nm厚氧化銦錫ITO膜以及5nm厚二氧化鉿HfO2底部介質柵層膜；
c、采用磁控濺射的方式在柵介質層上形成一層a-IGZO薄膜，作為有源層；
d、在a-IGZO薄膜表面涂上AZ5214光刻膠，并使用勻膠機，設置轉速為2000rpm，轉動時間為30s，將光刻膠甩均勻，隨后使用光刻機以及制作好的掩膜版進行光刻形成特定的源漏電極圖案；
e、通過真空電子束蒸鍍的方式在薄膜表面沉積一層100nm的金，作為金屬源漏電極；
f、在丙酮溶液中將光刻膠去除掉之后，一個完整的晶體管就制備完成了。
2.一種基于非晶銦鎵鋅薄膜的柔性薄膜晶體管，其特征是，基于非晶銦鎵鋅薄膜的柔性薄膜晶體管，PET襯底上自下而上依次為ITO底柵、二氧化鉿HfO2柵介質膜和a-IGZO薄膜，ITO底柵引出底柵電極，在頂部設置有源、漏電極，源、漏電極分別與HfO2柵介質膜和a-IGZO薄膜聯通。
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