[發明專利]超級結深溝槽填充方法

在審

• 申請號: 201910034314.6
• 申請日: 2019-01-15
• 公開（公告）號: CN109817700A
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 伍洲
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L21/04
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種超級結深溝槽填充方法，其特征在于：在第一導電類型的外延層與第二導電外延層之間，形成一層含碳的外延層；所述含碳的外延層，其含碳的濃度為漸變濃度。

2.如權利要求1所述的超級結深溝槽填充方法，其特征在于：所述的含碳的外延層，是在第一導電外延層上的深溝槽形成之后，淀積一層含碳的外延層，然后再填充滿第二導電類型外延層。

3.如權利要求1或2所述的超級結深溝槽填充方法，其特征在于：所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

4.如權利要求1所述的超級結深溝槽填充方法，其特征在于：所述的含碳的外延層，其含碳的濃度是靠近第一導電類型外延層的一側的濃度高，越靠近第二導電類型外延層則濃度越低，直至接觸到第二導電類型外延層時含碳濃度為零。

5.如權利要求3所述的超級結深溝槽填充方法，其特征在于：所述的含碳的外延層，其含碳濃度為不高于10E21原子/立方厘米，含碳的外延層的厚度為

6.如權利要求1所述的超級結深溝槽填充方法，其特征在于：所述的含碳的外延層為高導電的外延層,電阻率為10^-5ohm.cm～10^-3ohm.cm。

7.如權利要求3所述的超級結深溝槽填充方法，其特征在于：在進行顯結處理時，顯結液與第一導電類型外延發生電化學反應，電子沿高導電能力的含碳的外延層流動，加速了第一導電類型區域的反應，同時電子不會進入到第二導電類型區域，從而使第二導電類型區域被保護不被腐蝕，從而形成了明顯的P/N界限。

8.如權利要求1所述的超級結深溝槽填充方法，其特征在于：所述的含碳的外延層，其導電類型不做限定，N型或者P型均適用。