[發(fā)明專利]鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910034192.0
• 申請日: 2019-01-15
• 公開（公告）號: CN109755131A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳曦;黃景豐
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L21/265
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：在外基區(qū)注入之前，先在外基區(qū)與外側(cè)墻之間再形成側(cè)墻，然后進行外基區(qū)注入。

2.如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的外基區(qū)注入，是不帶掩膜版的大面積普注。

3.如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)，是被抬高的外基區(qū)，其下方具有鍺硅外延層。

4.如權(quán)利要求3所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述被抬高的外基區(qū)，以及外側(cè)墻，在進行外基區(qū)普注時形成自對準結(jié)構(gòu)；所述被抬高的外基區(qū)能降低基極電阻及基極-集電極電容。

5.如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的外側(cè)墻在刻蝕形成之后，與外基區(qū)之間具有凹槽，形成一不規(guī)則間隙。

6.如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的不規(guī)則間隙，在進行外基區(qū)整體注入時，注入的雜質(zhì)離子通過凹槽注入到下層中，使得外基區(qū)抬高的作用消失，提高了基極-集電極電容。

7.如權(quán)利要求1或5所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的側(cè)墻，是形成于外基區(qū)與外側(cè)墻之間，填充外基區(qū)與外側(cè)墻之間的不規(guī)則間隙。

8.如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的側(cè)墻，是先淀積一層氧化膜，然后進行回刻形成側(cè)墻。

9.如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的側(cè)墻，在外基區(qū)注入時，保護住外基區(qū)與外側(cè)墻之間區(qū)域的下層不被注入，降低基極-集電極電容。

10.如權(quán)利要求1所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的外側(cè)墻，是位于鍺硅HBT的選擇性外基區(qū)與多晶硅柵極之間的側(cè)墻，將鍺硅HBT的選擇性外基區(qū)與多晶硅柵極進行隔離。

11.如權(quán)利要求9所述的鍺硅HBT選擇性外基區(qū)的注入方法，其特征在于：所述的外側(cè)墻為ONO復合膜層構(gòu)成的外側(cè)墻。