[發(fā)明專利]粘晶膠紙隨晶粒分離的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910033363.8 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-14 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109786310A | 公開(公告)日: | 2019-05-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬倩;林建濤;劉怡俊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東莞記憶存儲(chǔ)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H01L21/78;B23K26/38 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務(wù)所 44242 | 代理人: | 馮筠 |
| 地址: | 523000 廣東省東莞市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 膠紙 粘晶 晶粒 晶圓 厚度要求 產(chǎn)品良率 方向掃描 鐳射激光 鐳射切割 研磨處理 隱形切割 切割道 鐳射 裂片 翹曲 粘貼 背面 切割 替換 分割 | ||
1.粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,包括:
對(duì)晶圓進(jìn)行研磨處理,以得到滿足厚度要求的晶圓;
在滿足厚度要求的晶圓的背面粘貼粘晶膠紙;
利用鐳射對(duì)粘晶膠紙切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述利用鐳射對(duì)粘晶膠紙切割中,所述鐳射的切割能量范圍為0.5W至1.5W。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述利用鐳射對(duì)粘晶膠紙切割中,所述鐳射的頻率為50HZ至150HZ。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述利用鐳射對(duì)粘晶膠紙切割中,所述鐳射的速度為50mm/s至100mm/s。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述利用鐳射對(duì)粘晶膠紙切割,包括:
利用鐳射激光沿切割道的方向掃描粘晶膠紙。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述對(duì)晶圓進(jìn)行研磨處理,以得到滿足厚度要求的晶圓,包括:
在晶圓表面貼研磨膠紙;
對(duì)晶圓進(jìn)行背部研磨和切割,以得到滿足厚度要求的晶圓。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述對(duì)晶圓進(jìn)行背部研磨和切割,以得到滿足厚度要求的晶圓,包括:
對(duì)晶圓進(jìn)行背部預(yù)研磨;
對(duì)晶圓沿其切割道方向進(jìn)行鐳射切割,以得到隱形切割的晶圓;
對(duì)隱形切割的晶圓進(jìn)行背部研磨,以得到滿足厚度要求的晶圓。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,,所述對(duì)晶圓進(jìn)行背部研磨和切割,以得到滿足厚度要求的晶圓,包括:
對(duì)晶圓沿其切割道方向進(jìn)行刀片切割,以得到切割后的晶圓;
對(duì)切割后的晶圓進(jìn)行背部研磨,以得到滿足厚度要求的晶圓。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述在滿足厚度要求的晶圓的背面粘貼粘晶膠紙之后,還包括:
剝離晶圓的正面所粘貼的研磨膠紙。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的粘晶膠紙隨晶粒分離的方法,其特征在于,所述對(duì)晶圓進(jìn)行背部預(yù)研磨,具體是對(duì)晶圓進(jìn)行背部的氧化層研磨。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





