[發明專利]一種基于讀出電路的紅外焦平面陣列的制備方法

在審

• 申請號: 201910033134.6
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN109638113A
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發明（設計）人: 唐鑫;劉明政
• 申請（專利權）人: 軍事科學院系統工程研究院后勤科學與技術研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;G01J5/00;G01J5/10
• 代理公司: 北京慧智興達知識產權代理有限公司 11615
• 代理人: 韓龍;張曉龍

1.一種基于讀出電路的紅外焦平面陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：清洗讀出電路表面，所述讀出電路為市場購買的商業產品；

S2：沉積像素電極層，由電子束沉積特定材料構成，沉積使得所述像素電極層不連續覆蓋整個讀書電路表面，其特征為不連續、分隔獨立的電極，間隔為1微米至5微米；

S3：制備感光材料層，采用旋涂或滴涂方式制備于基底之上，連續覆蓋整個基底表面，且其厚度為100納米到800納米之間；

S4：像素化處理感光材料層，經過光刻及化學腐蝕方法進行像素化處理，使得所述感光材料層成為不連續、分隔獨立的薄膜，間隔為1微米至5微米；

S5：沉積鈍化保護層，由光刻及電子束沉積蒸鍍或旋涂于感光材料層表面，不連續覆蓋感光材料層，在感光材料層表面留有5微米至100微米開口，材料選擇二氧化硅及其多種聚合物；

S6：沉積公共電極層，使用厚度為1納米到300納米之間的金屬，覆蓋整個表面，所述的金屬包括金、銀、銅、鎳。

2.根據權利要求1所述的一種基于讀出電路的紅外焦平面陣列的制備方法，其特征在于，所述像素電極層由電子束沉積的金屬構成，所述的金屬包括金、銀、銅、鎳；金屬層的厚度為30納米至300納米。

3.根據權利要求1所述的一種于讀出電路的紅外焦平面陣列的制備方法，其特征在于，所述像素電極層由電子束沉積的導電氧化物構成，所述的導電化合物包括氧化錫銦；導電氧化物層的厚度為10納米到200納米。