[發明專利]用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法及其封裝基板

在審

• 申請號: 201910032669.1
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN109574713A
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 宗高亮;謝金平;范小玲;梁韻銳
• 申請（專利權）人: 廣東致卓環保科技有限公司
• 主分類號: C04B41/90
• 分類號: C04B41/90
• 代理公司: 佛山市禾才知識產權代理有限公司 44379
• 代理人: 資凱亮;劉羽波

1.一種用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟A，對氮化鋁陶瓷封裝基板進行等離子活化處理；

步驟B，采用真空磁控濺射方式，在氮化鋁陶瓷封裝基板的表面鍍制氧化鋁涂層；

步驟C，采用真空磁控濺射方式，在經過步驟B處理的氮化鋁陶瓷封裝基板的表面鍍制鈦鎢涂層；

步驟D，采用真空磁控濺射方式，在經過步驟C處理的氮化鋁陶瓷封裝基板的表面鍍制銅涂層，制得表面先后鍍覆了氧化鋁涂層、鈦鎢涂層和銅涂層的氮化鋁陶瓷封裝基板；

所述步驟B、C和D中，所述真空磁控濺射的真空度為5×10⁰～7.5×10³Pa，濺射電流為10～30A。

2.根據權利要求1所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法，其特征在于：步驟C中，所述鈦鎢涂層中鈦的質量百分比為50～98％，鎢的質量百分比為2～50％。

3.根據權利要求1所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法，其特征在于：所述步驟B中，氧化鋁涂層的鍍制厚度為0.05～1.00μm。

4.根據權利要求1所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法，其特征在于：所述步驟C中，鈦鎢涂層的鍍制厚度為0.05～1.00μm。

5.根據權利要求1所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法，其特征在于：所述步驟D中，銅涂層的鍍制厚度為0.10～10.00μm。

6.根據權利要求1所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法，其特征在于：所述步驟B、C和D中，氧化鋁涂層、鈦鎢涂層和銅涂層均為分兩次真空磁控濺射到氮化鋁陶瓷封裝基板上。

7.根據權利要求1所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法，其特征在于：所述步驟A中，先通過激光機在氮化鋁陶瓷封裝基板上形成通孔，然后對氮化鋁陶瓷封裝基板進行等離子活化處理。

8.使用權利要求1至7任意一項所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法制得的封裝基板，其特征在于：由氮化鋁陶瓷封裝基板、氧化鋁涂層、鈦鎢涂層和銅涂層組成，通過真空磁控濺射方式在所述氮化鋁陶瓷封裝基板的表面先后鍍覆所述氧化鋁涂層、鈦鎢涂層和銅涂層；

所述真空磁控濺射的真空度為5×10⁰～7.5×10³Pa，濺射電流為10～30A。

9.根據權利要求8所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法制得的封裝基板，其特征在于：所述鈦鎢涂層中鈦的質量百分比為50～98％，鎢的質量百分比為2～50％。

10.根據權利要求8所述的用于氮化鋁陶瓷封裝基板的表面金屬化方法制得的封裝基板，其特征在于：所述氧化鋁涂層的厚度為0.05～1.00μm，鈦鎢涂層的厚度為0.05～1.00μm，銅涂層的厚度為0.10～10.00μm。