[發明專利]一種新型氮化物發光二極管

在審

• 申請號: 201910032651.1
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN109755364A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 顧偉
• 申請（專利權）人: 江西兆馳半導體有限公司
• 主分類號: H01L33/14
• 分類號: H01L33/14;B82Y40/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型氮化物發光二極管，包括襯底，以及依次位于襯底上的緩沖層、非摻雜氮化物層、n型氮化物層、有源層、電子阻擋層和p型氮化物層，其特征在于：所述p型氮化物層包括依次位于電子阻擋層上的空穴注入層、空穴擴散層和p型接觸層，所述電子阻擋層為厚度1~10 nm的AlN，所述空穴擴散層為厚度10~50 nm的p型Al_xIn_yGa_1-x-yN，其中0.05≤x≤0.5、0≤y≤0.03。

2.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述空穴注入層為厚度10~50 nm的p型GaN，Mg的摻雜濃度為5E19~5E20cm^-3。

3.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述空穴擴散層中Mg的摻雜濃度為3E18~3E19cm^-3。

4.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述p型接觸層為厚度6~60 nm的p型GaN，Mg的摻雜濃度為5E19~2E21cm^-3。

5.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述空穴擴散層的帶隙寬度大于空穴注入層和p型接觸層的帶隙寬度。

6.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述緩沖層為厚度5~100nm 的AlN或GaN。

7.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述非摻雜氮化物層為厚度1~5μm的 GaN。

8.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述n型氮化物層為厚度1~5μm的n型GaN，Si的摻雜濃度為5E18~1E20 cm^-3。

9.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述有源層為若干個In_aGa_1-aN（0.04<a<0.4）勢阱層和Al_bIn_cGa_1-b-cN（0≤b≤1，0≤c≤0.2，0≤b+c≤1）勢壘層交替堆疊形成的多量子阱結構，In_aGa_1-aN（0.04<a<0.4）勢阱層的厚度為1~5nm，Al_bIn_cGa_1-b-cN（0≤b≤1，0≤c≤0.2，0≤b+c≤1）勢壘層的厚度為5~20nm，有源層的周期數為n，2<n<20。

10.根據權利要求1所述的一種新型氮化物發光二極管，其特征在于：所述襯底為藍寶石（Al₂O₃）襯底、硅（Si）襯底、碳化硅（SiC）襯底、氮化鋁（AlN）襯底、氮化鎵（GaN）襯底、氧化鎵（Ga₂O₃）襯底或氧化鋅（ZnO）襯底中的一種。