[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201910031363.4
• 申請日: 2019-01-14
• 公開（公告）號: CN110060926B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: 曾根田真也;原田健司;中田洋輔
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種半導體裝置的制造方法，其中，

在半導體基板的一個主面，通過將第1導電膜堆積、圖案化，從而形成第1電極，

在所述第1電極之上，形成與所述第1電極所具有的圖案對應的第1金屬膜，

在所述半導體基板的所述一個主面形成保護膜，該保護膜將所述第1電極的所述圖案的端部覆蓋，并且包含使所述第1電極的一部分和所述第1金屬膜的至少一部分露出的開口部，

在所述半導體基板的另一個主面，通過將第2導電膜堆積，從而形成第2電極，

在所述第2電極之上形成比所述第1金屬膜薄的第2金屬膜，

分別在所述開口部內的所述第1金屬膜之上以及所述第2金屬膜之上通過非電解鍍而一起形成第3金屬膜，

所述第1金屬膜和所述第2金屬膜以與所述保護膜的所述開口部的比率對應地規定的各自的厚度形成，以降低形成所述第3金屬膜后的所述半導體基板的翹曲。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在形成所述第1電極以及所述第1金屬膜之后，在所述半導體基板的所述一個主面，以對所述第1電極的所述圖案的所述端部和所述第1金屬膜所具有的圖案的端部這兩者進行覆蓋的方式形成所述保護膜。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在形成所述第1電極時，在所述半導體基板的所述一個主面，通過將所述第1導電膜進行圖案化，從而進一步形成與所述第1電極分離設置的第3電極，

在形成所述第1金屬膜時，所述第1金屬膜是將所述第3電極之上除外而形成的，

所述半導體基板包含半導體元件，該半導體元件包含所述第1電極、所述第2電極以及所述第3電極，

所述第3電極是被施加用于對所述半導體元件的通斷動作進行控制的電壓信號的電極。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在形成所述第1金屬膜之后，在所述第1金屬膜之上，形成防止所述第1金屬膜的表面的氧化的第1防氧化膜，

在形成所述第2金屬膜之后，在所述第2金屬膜之上，形成防止所述第2金屬膜的表面的氧化的第2防氧化膜，

在通過所述非電解鍍而一起形成所述第3金屬膜之前，將所述第1防氧化膜和所述第2防氧化膜去除。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在形成所述第1金屬膜之后，在所述第1金屬膜之上，形成防止所述第1金屬膜的表面的氧化的第1防氧化膜，

在形成所述第2金屬膜之后，在所述第2金屬膜之上，形成防止所述第2金屬膜的表面的氧化的第2防氧化膜，

在通過所述非電解鍍而一起形成所述第3金屬膜之前，將所述第1防氧化膜和所述第2防氧化膜去除。