[發(fā)明專利]半導(dǎo)體材料MnO2@Ag、MnO2@Cu的制備及應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910027802.4
• 申請日: 2019-01-11
• 公開（公告）號: CN109648076B
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李志華;李娜;郄元元;曹國煒;張敏;羅楠楠
• 申請（專利權(quán)）人: 山東師范大學(xué)
• 主分類號: B22F1/02
• 分類號: B22F1/02;B22F9/24;H01M4/36;H01M4/50;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;H01G11/30;H01G11/46
• 代理公司: 濟(jì)南圣達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221
• 代理人: 鄭平

1.一種半導(dǎo)體材料MnO₂@M的制備方法，其特征在于，包括：

將納米MnO₂在超聲條件下分散于含有M的鹽溶液中，使納米MnO₂均勻分散，然后在攪拌下陳化一定時間，使納米MnO₂對M離子吸附達(dá)到飽和；

將上述溶液離心分離，將沉淀即吸附了M離子的納米MnO₂漂洗后分散在一定濃度的還原劑溶液中，充分反應(yīng)，然后分離、漂洗、干燥，即得半導(dǎo)體材料MnO₂@M；

其中，M為Ag或Cu；

所述還原劑為抗壞血酸或檸檬酸；

所述還原劑的濃度為5~10mg/mL。

2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體材料MnO₂@M的制備方法，其特征在于，所述M為Cu，含有M的鹽溶液為醋酸銅溶液。

3.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體材料MnO₂@M的制備方法，其特征在于，所述M為Ag，含有M的鹽溶液為硝酸銀溶液。

4.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體材料MnO₂@M的制備方法，其特征在于，所述含有M的鹽溶液的濃度為0.1~100mg/mL。

5.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體材料MnO₂@M的制備方法，其特征在于，還原反應(yīng)在攪拌條件下進(jìn)行。

6.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體材料MnO₂@M的制備方法，其特征在于，所述分離的方法為離心、過濾、沉降或溶劑蒸發(fā)。

7.如權(quán)利要求1至6任一項所述半導(dǎo)體材料MnO₂@M的制備方法制備的半導(dǎo)體材料MnO₂@M，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料MnO₂@M的尺度為納米級。

8.權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體材料MnO₂@M在制造電池或超級電容器中的應(yīng)用。