[發明專利]表面帶正電的聚酰胺反滲透膜及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 201910025911.2 | 申請日： | 2019-01-11 |
| 公開（公告）號： | CN111434375A | 公開（公告）日： | 2020-07-21 |
| 發明（設計）人： | 陳博賢;趙璇;李福志 | 申請（專利權）人： | 清華大學 |
| 主分類號： | B01D69/02 | 分類號： | B01D69/02;B01D71/78;B01D67/00;G21F9/06 |
| 代理公司： | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人： | 肖善強 |
| 地址： | 100084*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 正電 聚酰胺 反滲透 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種表面帶正電的聚酰胺反滲透膜，其包含聚酰胺基礎膜和接枝到所述聚酰胺基礎膜上的交聯聚乙烯亞胺層，其中所述交聯的聚乙烯亞胺層上共價鍵合有季銨鹽官能團。
2.如權利要求1所述的聚酰胺反滲透膜，其中，所述季銨鹽官能團衍生自具有環氧官能團的季銨鹽。
3.如權利要求2所述的聚酰胺反滲透膜，其中，所述具有環氧官能團的季銨鹽包括環氧丙基三烷基季銨鹽，所述烷基各個獨立地選自C1-C18烷基。
4.如權利要求1所述的聚酰胺反滲透膜，其中，所述聚酰胺反滲透膜的Zeta電位是正值。
5.一種用于制備表面帶正電的聚酰胺反滲透膜的方法，其包括：
a)用碳化二亞胺和N-羥基琥珀酰亞胺活化聚酰胺基礎膜表面的羧基；
b)用聚乙烯亞胺接枝經活化的聚酰胺基礎膜，從而形成聚乙烯亞胺接枝的聚酰胺基礎膜；
c)采用戊二醛交聯劑對聚乙烯亞胺接枝的聚酰胺基礎膜上的聚乙烯亞胺進行交聯，從而形成交聯聚乙烯亞胺接枝的聚酰胺基礎膜；
d)采用具有環氧官能團的季銨鹽對交聯聚乙烯亞胺接枝的聚酰胺基礎膜進行改性，從而形成所述表面帶正電的聚酰胺反滲透膜。
6.如權利要求5所述的方法，其還包括，在步驟d)之前，將步驟c)所得的交聯聚乙烯亞胺接枝的聚酰胺基礎膜置于30～60℃的去離子水中一段時間的步驟，優選30分鐘至60分鐘。
7.如權利要求5所述的方法，其還包括，在步驟a)之前，采用異丙醇浸泡和去離子水沖洗去除所述聚酰胺基礎膜的雜質的步驟。
8.權利要求1-3中任意一項所述的表面帶正電的聚酰胺反滲透膜或可通過權利要求5-7中任意一項所述的方法得到的表面帶正電的聚酰胺反滲透膜用于分離濃縮放射性核素的應用。
9.如權利要求8所述的應用，其中，所述放射性核素存在于放射性廢液中，其中的核素放射性活度水平為109Bq/L以下。
10.一種用于分離濃縮放射性核素的膜系統，其包含權利要求1-3中任意一項所述的表面帶正電的聚酰胺反滲透膜或可通過權利要求5-7中任意一項所述的方法得到的表面帶正電的聚酰胺反滲透膜。
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