[發明專利]一種界面Cd嵌入CdS/Si異質結的制備方法

有效

• 申請號: 201910024477.6
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN109695024B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 周豐群;姬鵬飛;宋月麗;李勇;田明麗;袁書卿
• 申請（專利權）人: 平頂山學院
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/06;H01L21/18
• 代理公司: 鄭州大通專利商標代理有限公司 41111
• 代理人: 石丹丹

1.一種界面Cd嵌入CdS/Si異質結的制備方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟1，以單晶硅片為襯底，利用磁控濺射技術在Si片上沉積金屬Cd，制備出納米結構Cd/Si；具體過程為：

步驟101，將清洗干凈的單晶硅片放入磁控濺射室的樣品支架上，對磁控濺射室抽真空到10^-6Pa，然后向磁控濺射室充入氬氣，保持濺射室真空度為10^-1Pa-100Pa；

步驟102，調整Cd靶材和單晶硅片的距離為2.0cm-10.0cm，將樣品支架加熱到100℃，保持5min，使樣品支架上的單晶硅片受熱均勻；

步驟103，設置濺射功率10W-100W，打開Cd靶材的擋板，開始濺射，濺射時間30s-120s，制備納米結構Cd/Si；

步驟104，保持磁控濺射室內壓強不變，自然冷卻至室溫，納米結構Cd/Si制備完成；

步驟2，利用磁控濺射技術在納米結構Cd/Si上沉積納米CdS，制備納米CdS/Cd/Si異質結；具體過程為：

步驟201，將納米結構Cd/Si樣品旋轉到CdS靶材的上方，使其與CdS靶材的距離為2.0cm-10.0cm；

步驟202，以5℃/min的升溫速度，將樣品支架升溫到200℃，保持5min，使樣品支架上的Cd/Si受熱均勻；

步驟203，調整氬氣的進氣量，使真空度保持在10^-1Pa-10Pa；設置濺射功率10W-100W，打開CdS靶材的擋板，開始濺射，濺射時間30s-600s；

步驟204，關閉濺射電源，將CdS/Cd/Si樣品自然冷卻至室溫，納米CdS/Cd/Si異質結制備完成。

2.根據權利要求1所述的界面Cd嵌入CdS/Si異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟203中的濺射時間設置為300s。

3.根據權利要求1所述的界面Cd嵌入CdS/Si異質結的制備方法，其特征在于，所述步驟203中的濺射時間設置為480s。