[發(fā)明專利]一種疊層OLED器件及顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201910023932.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109755401A | 公開(公告)日: | 2019-05-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅志忠;高建;李灝;丁德寶;張久杰;董晴晴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659 | 代理人: | 張海英 |
| 地址: | 065500 河*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 疊層 金屬粒子 電荷產(chǎn)生層 發(fā)光單元 顯示裝置 摻雜的 阻隔層 阻隔 擴(kuò)散 發(fā)光效率 發(fā)光層 | ||
本發(fā)明公開了一種疊層OLED器件及顯示裝置。該疊層OLED器件包括至少兩個(gè)發(fā)光單元,任意兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間設(shè)置有電荷產(chǎn)生層,其特征在于,疊層OLED器件還包括:金屬粒子阻隔層,其中,金屬粒子阻隔層用于阻隔電荷產(chǎn)生層中摻雜的金屬粒子擴(kuò)散。該疊層OLED器件能夠阻隔電荷產(chǎn)生層里摻雜的金屬粒子向發(fā)光層擴(kuò)散,以提升疊層OLED器件的發(fā)光效率,延長(zhǎng)疊層OLED器件的壽命。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實(shí)施例涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種疊層OLED器件及顯示裝置。
背景技術(shù)
有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)是一種極具發(fā)展前景的顯示技術(shù),具有自發(fā)光、超輕薄、寬視角、響應(yīng)速度快、低功耗及可實(shí)現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點(diǎn)。
近年來,隨著半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展,各種發(fā)光器件結(jié)構(gòu)不斷被提出,疊層OLED器件便是其中之一。疊層OLED器件就是將兩個(gè)或以上的單層OLED器件通過電荷產(chǎn)生層串聯(lián)在一起,從而可以提高電流效率,延長(zhǎng)器件壽命,滿足照明使用的亮度等。然而,現(xiàn)有的疊層OLED器件中,電荷產(chǎn)生層里摻雜的金屬粒子由于擴(kuò)散作用會(huì)遷移到發(fā)光層中,從而引起激子淬滅,降低疊層OLED器件的發(fā)光效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種疊層OLED器件及顯示裝置,能夠阻隔電荷產(chǎn)生層里摻雜的金屬粒子向發(fā)光層擴(kuò)散,以提升疊層OLED器件的發(fā)光效率,延長(zhǎng)疊層OLED器件的壽命。
第一方面,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種疊層OLED器件,包括至少兩個(gè)發(fā)光單元,任意兩個(gè)相鄰的發(fā)光單元之間設(shè)置有電荷產(chǎn)生層,其特征在于,疊層OLED器件還包括:
金屬粒子阻隔層,其中,金屬粒子阻隔層用于阻隔電荷產(chǎn)生層中摻雜的金屬粒子擴(kuò)散。
可選地,至少兩個(gè)發(fā)光單元中的任意一個(gè)發(fā)光單元至少包括發(fā)光層,金屬粒子阻隔層設(shè)置于電荷產(chǎn)生層與發(fā)光層之間;
優(yōu)選地,金屬粒子阻隔層與電荷產(chǎn)生層直接接觸或者不直接接觸。
可選地,金屬粒子阻隔層設(shè)置于電荷產(chǎn)生層內(nèi)部;
優(yōu)選地,金屬粒子阻隔層將電荷產(chǎn)生層分割為相互平行的兩個(gè)子電荷產(chǎn)生層中。
可選地,金屬粒子阻隔層的厚度為到
可選地,金屬粒子阻隔層的材料為無機(jī)材料和/或有機(jī)材料;
優(yōu)選地,金屬粒子阻隔層的材料選自氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮化鋁(AlNx)、亞克力、聚酰亞胺(PI)、聚酯中的一種或幾種。
可選地,電荷產(chǎn)生層與電荷產(chǎn)生層相鄰的發(fā)光層之間的距離為到
可選地,電荷產(chǎn)生層與電荷產(chǎn)生層相鄰的發(fā)光層之間的距離為到
可選地,至少兩個(gè)發(fā)光單元中的任意一個(gè)發(fā)光單元的空穴注入層材料的遷移率大于或者等于5E10-4cm2/v*s,和/或空穴傳輸層材料的遷移率大于或者等于5E10-4cm2/v*s,和/或電子傳輸層材料的遷移率大于或者等于5E10-5cm2/v*s。
可選地,還包括:陽(yáng)極、陰極和電子注入層,其中,至少兩個(gè)發(fā)光單元設(shè)置于陽(yáng)極和陰極之間,電子注入層設(shè)置于陰極和最靠近陰極的一個(gè)發(fā)光單元之間。
可選地,疊層OLED器件包括三個(gè)發(fā)光單元和兩個(gè)電荷產(chǎn)生層,三個(gè)發(fā)光單元分別是第一發(fā)光單元、第二發(fā)光單元和第三發(fā)光單元,兩個(gè)電荷產(chǎn)生層分別是第一電荷產(chǎn)生層和第二電荷產(chǎn)生層;其中,第一發(fā)光單元、第一電荷產(chǎn)生層、第二發(fā)光單元、第二電荷產(chǎn)生層和第三發(fā)光單元疊層設(shè)置;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





