[發明專利]針對腦部神經元細胞的非干涉太赫茲波理療裝置

有效

• 申請號: 201910023801.2
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN109731229B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 鮑玉珍
• 申請（專利權）人: 鮑玉珍
• 主分類號: A61N5/00
• 分類號: A61N5/00
• 代理公司: 北京卓愛普專利代理事務所(特殊普通合伙) 11920
• 代理人: 王玉松;劉青

1.一種針對腦部神經元細胞的非干涉太赫茲波理療裝置，所述理療裝置包括處理端(1)以及與所述處理端(1)相連接的波發射終端(2)，其特征在于，所述處理端(1)包括

信號源生成器(10)，用于生成低頻非干涉太赫茲波信號的信號源；

調制模塊(11)，通過控制電頻實現對信號源的低頻非干涉太赫茲波信號幅度進行脈沖、正弦不同方式調制，并將調制后的非干涉太赫茲電磁波信號輸入至波發射終端(2)；

主控制模塊(12)，用于對處理端(1)的信號處理、控制以及對所述波發射終端(2)的發射信號的控制及信號采集處理；

所述波發射終端(2)包括非干涉太赫茲波發生裝置(20)和頭罩(21)，所述非干涉太赫茲波發生裝置(20)包括前側開口的柱狀殼體(201)，所述柱狀殼體(201)的后端中部設有通入電線(203)的通孔(202)，其內部設有與所述處理端(1)電線連接的非干涉太赫茲波發生模塊(200)；所述非干涉太赫茲波發生模塊(200)的發射端設于柱狀殼體(201)的前側開口，所述非干涉太赫茲波發生模塊(200)的發射端前側還設有波導窗(204)，所述波導窗(204)前側上設有覆蓋其的聚波透鏡(205)；

所述頭罩(21)為與頭型匹配的殼體結構，所述頭罩(21)上均勻分布數個圓孔，所述圓孔上連接有圓臺(22)，所述圓臺(22)底部與圓孔相接一體成型；所述圓臺(22)頂部與所述柱狀殼體(201)前側采用活動連接結構進行連接；

所述柱狀殼體(201)采用硬質材料制成；所述柱狀殼體(201)的前側外壁上套接有連接套(210)；

所述柱狀殼體(201)的前側外壁上環設有橫截面為圓的卡塊(207)，所述連接套(210)的后側內壁上設有與所述卡塊(207)匹配的卡槽(212)，所述卡槽(212)和卡塊(207)為兩者可相對活動的間隙配合，所述波導窗(204)伸出于所述柱狀殼體(201)的前側；所述連接套(210)前側外壁上設有外螺紋(211)，所述圓臺(22)頂部內側設有與所述外螺紋(211)相匹配的內螺紋(221)；

沿所述圓臺(22)底部開口的邊緣設有橫截面為U型的橡膠擋片(23)，所述橡膠擋片(23)的底部設有喇叭口形狀的小吸盤(230)，所述橡膠擋片(23)的高度為0.3-1cm；

所述頭罩(21)為采用硬質材料制成的頭盔結構。

2.如權利要求1所述的針對腦部神經元細胞的非干涉太赫茲波理療裝置，其特征在于，所述非干涉太赫茲波發生模塊(200)的后側設有一散熱腔(25)；所述散熱腔(25)內設有一散熱結構，所述散熱結構包括縱向延伸的導熱體(250)以及設于所述導熱體(250)側邊和后邊的柱狀殼體(201)內壁的散熱體(251)，所述導熱體(250)上設有連接部(252)與所述非干涉太赫茲波發生模塊(200)相連接；所述導熱體(250)與散熱體(251)之間留有不小于0.5cm大小的間隔空間；所述柱狀殼體(201)后端避開所述通孔(202)的位置設有柵格狀的散熱孔(208)；

所述導熱體(250)為采用粗銅制成的塊狀結構；所述散熱體(251)為碳納米材料制成黑涂層。

3.如權利要求2所述的針對腦部神經元細胞的非干涉太赫茲波理療裝置，其特征在于，位于所述導熱體(250)側邊的柱狀殼體(201)內壁的所述散熱體(251)向前側延伸鋪設，對應該延伸部的所述散熱體(251)與所述柱狀殼體(201)內壁之間設有隔熱層(253)。