[發(fā)明專利]一種雙玻組件層壓工藝及設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910023623.3 | 申請日: | 2019-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN109817742A | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 彭壽;馬立云;潘錦功;傅干華;孫慶華;李浩;楊超 | 申請(專利權(quán))人: | 成都中建材光電材料有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 成都市集智匯華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李華;溫黎娟 |
| 地址: | 610000 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙玻組件 層壓工藝 上玻璃板 下玻璃板 電池片 粘接劑 加熱保溫 設(shè)置調(diào)整 抽真空 完成層 層壓 堆疊 壓合 粘接 加熱 制備 保溫 冷卻 申請 | ||
1.一種雙玻組件層壓工藝,其特征在于,包括如下步驟:
下玻璃板、電池片、上玻璃板從下往上依次堆疊;
層壓加熱,用于使下玻璃板、電池片和上玻璃板壓合為一體;
加熱保溫,用于提升下玻璃板、電池片和上玻璃板中粘接劑的性能;
冷卻,即制得雙玻組件成品。
2.如權(quán)利要求1所述的雙玻組件層壓工藝,其特征在于,所述層壓加熱步驟具體為:持續(xù)抽真空400-450s;加熱至150-170℃;層壓設(shè)備對下玻璃板、電池片和上玻璃板進(jìn)行層壓,層壓壓強(qiáng)為-0.6到-0.8MPa,加壓時間300-350s。
3.如權(quán)利要求1所述的雙玻組件層壓工藝,其特征在于,所述加熱保溫步驟具體為:持續(xù)抽真空700-800s;加熱至130-150℃。
4.如權(quán)利要求1所述的雙玻組件層壓工藝,其特征在于,所述冷卻步驟具體為:持續(xù)抽真空30-40s;層壓設(shè)備對下玻璃板、電池片和上玻璃板進(jìn)行層壓,層壓壓強(qiáng)為-0.3到-0.4MPa,加壓時間600-650s;所述下玻璃板、電池片和上玻璃板冷卻至15-25℃。
5.一種雙玻組件層壓設(shè)備,包括用于承載雙玻組件的操作臺,其特征在于,所述操作臺上設(shè)有加熱板,所述操作臺側(cè)邊設(shè)有升降裝置,所述升降裝置上設(shè)有蓋板,所述加熱板與蓋板之間留有用于放置雙玻組件的間隙;所述間隙連接有抽真空裝置。
6.如權(quán)利要求5所述的雙玻組件層壓設(shè)備,其特征在于,所述加熱板上設(shè)有用于輸送雙玻組件的傳動布,所述傳動布和加熱板之間設(shè)有阻熱布。
7.如權(quán)利要求6所述的雙玻組件層壓設(shè)備,其特征在于,所述阻熱布為聚四氟乙烯材質(zhì)的阻熱布,所述阻熱布與所述傳動布保持相對靜止。
8.如權(quán)利要求5所述的雙玻組件層壓設(shè)備,其特征在于,所述加熱板側(cè)邊設(shè)有硅膠條,所述蓋板側(cè)邊成對設(shè)置有凸條,成對的所述凸條之間的間隙與所述硅膠條匹配。
9.如權(quán)利要求5所述的雙玻組件層壓設(shè)備,其特征在于,所述升降裝置包括對稱設(shè)置在所述操作臺兩側(cè)的氣缸,所述蓋板設(shè)置在氣缸的活塞桿端部。
10.如權(quán)利要求9所述的雙玻組件層壓設(shè)備,其特征在于,所述蓋板靠近所述加熱板的表面設(shè)有緩沖板。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于成都中建材光電材料有限公司,未經(jīng)成都中建材光電材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910023623.3/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:光伏組件的邊框材料
- 下一篇:一種下板式晶體硅光伏組件
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





