[發明專利]放大器電路及轉阻放大器電路有效
| 申請號： | 201910023583.2 | 申請日： | 2019-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN110855253B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 夏姆加沙米巴拉蘇布拉曼尼亞;張楷智 | 申請（專利權）人： | 原相科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H03F3/16 | 分類號： | H03F3/16;H03F3/68 |
| 代理公司： | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人： | 胡海國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 放大器 電路 | ||
1.一種放大器電路，其特征在于，包含：
第一放大器，包含電壓輸入端以及電壓輸出端；
電壓偏移提供電路，包含耦接第一預定電壓的第一端，耦接該電壓輸出端的第二端，以及第三端，其中該第三端的電壓比該第二端的電壓高出偏移電壓；以及
電壓控制電容，包含耦接該第三端的第四端，以及耦接該電壓輸入端的第五端，其中該電壓控制電容的電容值對應該第四端的電壓以及該第五端的電壓的電壓差。
2.如權利要求1所述的放大器電路，其特征在于，該電壓偏移提供電路為源極隨耦器。
3.如權利要求2所述的放大器電路，其特征在于，該電壓偏移提供電路包含：
電壓偏移提供晶體管，包含作為該電壓偏移提供電路的該第二端的第一端，作為該電壓偏移提供電路的該第三端的第二端，以及耦接第二預定電壓位準的第三端；以及
電流源，耦接該第一預定電壓位準以及該電壓偏移提供晶體管之間，用以提供電流至該電壓偏移提供晶體管。
4.如權利要求3所述的放大器電路，其特征在于，
該電壓偏移提供晶體管為第一PMOS，該第一PMOS包含作為該電壓偏移提供電路的該第二端的閘極，作為該電壓偏移提供電路的該第三端的源極，以及作為該電壓偏移提供電路的該第三端的汲極；
其中該偏移電壓是該第一PMOS的臨界電壓；
其中該電流源為第二PMOS，該第二PMOS包含接收偏壓信號的閘極，作為該電壓偏移提供電路的該第一端的源極，以及作為該電壓偏移提供電路的該第三端的汲極。
5.如權利要求1所述的放大器電路，其特征在于，該電壓控制電容為MOS電容，該電壓控制電容的汲極以及源極短路且作為該第四端，且該電壓控制電容的閘極作為該第五端。
6.如權利要求1所述的放大器電路，其特征在于，進一步包括：
第二放大器，包含耦接該第一放大器的該電壓輸入端的電壓輸出端。
7.一種轉阻放大器電路，用以將輸入電流轉換成輸出電壓，其特征在于，包含：
放大器，包含用以接收該輸入電流的電流輸入端以及用以輸出該輸出電壓的電壓輸出端；
電壓偏移提供電路，包含耦接第一預定電壓的第一端，耦接該電壓輸出端的第二端，以及第三端，其中該第三端的電壓比該第二端的電壓高出偏移電壓；以及
電壓控制電容，包含耦接該第三端的第四端，以及耦接該電壓輸入端的第五端，其中該電壓控制電容的電容值對應該第四端的電壓以及該第五端的電壓的電壓差。
8.如權利要求7所述的轉阻放大器電路，其特征在于，該電壓偏移提供電路為源極隨耦器。
9.如權利要求7所述的轉阻放大器電路，其特征在于，該電壓偏移提供電路包含：
電壓偏移提供晶體管，包含作為該電壓偏移提供電路的該第二端的第一端，作為該電壓偏移提供電路的該第三端的第二端，以及耦接第二預定電壓位準的第三端；以及
電流源，耦接該第一預定電壓位準以及該電壓偏移提供晶體管之間，用以提供電流至該電壓偏移提供晶體管。
10.如權利要求9所述的轉阻放大器電路，其特征在于，
該電壓偏移提供晶體管為第一PMOS，該第一PMOS包含作為該電壓偏移提供電路的該第二端的閘極，作為該電壓偏移提供電路的該第三端的源極，以及作為該電壓偏移提供電路的該第三端的汲極；
其中該偏移電壓是該第一PMOS的臨界電壓；
其中該電流源為第二PMOS，該第二PMOS包含接收偏壓信號的閘極，作為該電壓偏移提供電路的該第一端的源極，以及作為該電壓偏移提供電路的該第三端的汲極。
11.如權利要求7所述的轉阻放大器電路，其特征在于，該電壓控制電容為MOS電容，該電壓控制電容的汲極以及源極短路且作為該第四端，且該電壓控制電容的閘極作為該第五端。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于原相科技股份有限公司，未經原相科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201910023583.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
