[發明專利]一種集成LDMOS和LIGBT的復合型RC-LIGBT器件

有效

• 申請號: 201910023563.5
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN109742090B
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 陳偉中;李順;黃義;賀利軍;秦窈
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/06;H01L29/08
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種集成LDMOS和LIGBT的復合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述復合型RC-LIGBT器件包括左邊的LDMOS有源區以及右邊的LIGBT有源區，

所述復合型RC-LIGBT器件從內向外分為四層：

第一層為最中心的發射極（1）；

第二層左邊為柵極Ⅰ（3），右邊為柵極Ⅱ（7），柵極Ⅰ（3）與柵極Ⅱ（7）相連；

第三層為相連的LDMOS有源區和LIGBT有源區共用的N-漂移區（9）；

最外層左邊為集電極N-Collector（11），右邊為集電極P-Collector（14），所述集電極N-Collector的金屬集電極Ⅰ（12）與所述集電極P-Collector 14的金屬集電極Ⅱ（15）在使用時相連。

2.根據權利要求1所述一種集成LDMOS和LIGBT的復合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源區從左到右設置金屬集電極Ⅰ（12）、集電極N-Collector（11）、N-漂移區（9）、N-bufferⅠ（10）、柵氧化層Ⅰ（4）、柵極Ⅰ（3）、N+電子發射極Ⅰ（2）、發射極（1）、介質隔離層（16）和襯底（17）；

所述LIGBT有源區從右到左設置金屬集電極Ⅱ（15）、集電極P-Collector（14）、N-bufferⅡ（13）、N-漂移區（9）、柵氧化層Ⅱ（8）、柵極Ⅱ（7）、P-body（6）、N+電子發射極Ⅱ（5）、發射極（1），介質隔離層（16）和襯底（17）。

3.根據權利要求2所述一種集成LDMOS和LIGBT的復合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述LDMOS有源區和所述LIGBT有源區共用P-body（6）、發射極（1）、N-漂移區（9）、介質隔離層（16）和襯底（17），N-漂移區（9）下部依次為介質隔離層（16）和襯底（17）。

4.根據權利要求1所述一種集成LDMOS和LIGBT的復合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述復合型RC-LIGBT器件的版圖為圓形結構或者方形結構。

5.根據權利要求2所述一種集成LDMOS和LIGBT的復合型RC-LIGBT器件，其特征在于，所述N+電子發射極Ⅰ（2）與所述N+電子發射極Ⅱ（5）的大小和濃度一致。