[發明專利]晶圓表面檢測前處理裝置及應用其的晶圓表面檢測設備在審
| 申請號： | 201910023440.1 | 申請日： | 2019-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN110838454A | 公開（公告）日： | 2020-02-25 |
| 發明（設計）人： | 江德明 | 申請（專利權）人： | 江德明 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市浩天知識產權代理事務所(普通合伙) 11276 | 代理人： | 劉云貴 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 檢測 處理 裝置 應用 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓表面檢測前處理裝置，其特征在于，所述晶圓表面檢測前處理裝置包含：
腔室；
支撐構件，設置于所述腔室的內部；
霧化器，連接于所述腔室的側面；
冷卻構件，連接于所述腔室的底部；以及
頂蓋，設置于所述腔室的頂部。
2.根據權利要求1所述的晶圓表面檢測前處理裝置，其特征在于，所述冷卻構件為水冷腔體。
3.根據權利要求1所述的晶圓表面檢測前處理裝置，其特征在于，所述支撐構件由多個支撐柱組成。
4.根據權利要求1所述的晶圓表面檢測前處理裝置，其特征在于，所述晶圓表面檢測前處理裝置的材質為PFA復合塑料。
5.一種晶圓表面檢測設備，其特征在于，所述晶圓表面檢測設備包含：
根據權利要求1～4中任一項所述的晶圓表面檢測前處理裝置；以及
檢測裝置，用于檢測經由所述晶圓表面檢測前處理裝置處理后的晶圓。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
