[發(fā)明專利]晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201910023352.1 | 申請日： | 2019-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN111430142B | 公開（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宋振綸;楊麗景;鄭必長;李偉東;朱啟航 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所;包頭希迪瑞科技有限公司 |
| 主分類號： | H01F41/02 | 分類號： | H01F41/02;H01F1/057;C21D1/18 |
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| 地址： | 315201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 擴(kuò)散 制備 釹鐵硼 磁體 方法 | ||
1.一種晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供釹鐵硼預(yù)制磁體；
在所述釹鐵硼預(yù)制磁體表面形成重稀土薄膜；
將形成有所述重稀土薄膜的釹鐵硼預(yù)制磁體進(jìn)行熱處理和回火處理，獲得預(yù)制體，其中，所述預(yù)制體中包括正常殼層以及依次包覆于所述正常殼層的過渡層和反常殼層，所述正常殼層中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的邊緣處至主相晶粒的中心部位逐漸降低，所述反常殼層中主相晶粒中的重稀土含量由主相晶粒的邊緣處至主相晶粒的中心部位逐漸升高；
去除所述反常殼層，得到釹鐵硼磁體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，去除所述反常殼層后，還包括去除所述過渡層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述釹鐵硼預(yù)制磁體的厚度大于等于5mm，所述重稀土薄膜的厚度大于等于12μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述釹鐵硼預(yù)制磁體平行于易磁化軸方向上的厚度大于等于5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述重稀土薄膜形成于釹鐵硼預(yù)制磁體垂直于易磁化軸方向的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述重稀土薄膜的材料包括鋱、鏑中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述熱處理的溫度為800℃～1000℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶界擴(kuò)散制備釹鐵硼磁體的方法，其特征在于，所述回火處理的溫度為400℃～600℃。
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