[發(fā)明專利]一種移動(dòng)終端外殼及移動(dòng)終端

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201910023199.2
• 申請(qǐng)日: 2019-01-10
• 公開（公告）號(hào): CN111432049B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡明;施文明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H04M1/02
• 分類號(hào): H04M1/02;H05K9/00;C23C28/00
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 馮艷蓮

1.一種移動(dòng)終端外殼，其特征在于，包括：殼體及膜層；

所述殼體上割裂出至少一個(gè)縫隙，所述縫隙內(nèi)填充有絕緣材質(zhì)；所述殼體的材質(zhì)為不銹鋼、鈦合金、非晶合金、鋁合金、鎂合金、鋅合金中的任意一種或多種的組合；或，所述殼體包括基底以及設(shè)置于所述基底表面的單質(zhì)或合金涂層，所述基底的材質(zhì)為不銹鋼、鈦合金、非晶合金、鋁合金、鎂合金、鋅合金中的任意一種或多種的組合；所述絕緣材質(zhì)為氧化鋯陶瓷、氧化鋁陶瓷、藍(lán)寶石、玻璃中的任意一種；或，所述絕緣材質(zhì)為不銹鋼與氧化鋯陶瓷組成的混合物、鈦合金與氧化鋁陶瓷組成的混合物、鋯基非晶合金與氧化鋯陶瓷組成的混合物、鈦與玻璃組成的混合物、鋁合金與藍(lán)寶石組成的混合物中的任意一種；

所述膜層覆蓋所述縫隙，所述膜層包括層疊設(shè)置在所述殼體上的至少兩層層結(jié)構(gòu)，其中，最靠近所述殼體的一層層結(jié)構(gòu)為打底層，最遠(yuǎn)離所述殼體的一層層結(jié)構(gòu)為表面層；所述至少兩層層結(jié)構(gòu)均為絕緣層，且所述至少兩層層結(jié)構(gòu)中的至少一個(gè)層結(jié)構(gòu)為非氧化物層；所述打底層為金屬及該金屬的絕緣化合物組成的混合層，或所述打底層為半導(dǎo)體層；

所述膜層還包括設(shè)置在所述打底層及所述表面層之間的中間層；所述打底層、所述中間層及所述表面層為連續(xù)制備的層結(jié)構(gòu)，其中，所述中間層包含有所述打底層部分材質(zhì)和所述中間層部分材質(zhì)的混合層；且在各層之間，存在納米級(jí)別的相鄰層之間的混合狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，所述中間層及所述表面層為金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氮化物中的一種或者至少兩種的混合層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，所述打底層、中間層及表面層中至少一層為非透明的絕緣層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，所述金屬化合物、金屬氧化物、金屬碳化物、金屬氮化物中的金屬原子與非金屬原子的配比符合化合的原子配比，且誤差不大于10％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，所述混合層的厚度小于200納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，所述中間層至少為一層，且在所述中間層為至少兩層時(shí)，至少兩層中間層層疊設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，所述打底層、中間層及表面層的電阻值均不低于10⁵Ω。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，還包括類金剛石層，且所述類金剛石層設(shè)置在所述表面層背離所述打底層的一面。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，所述類金剛石層中的SP3鍵含量不低于30％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～7任一項(xiàng)所述的移動(dòng)終端外殼，其特征在于，還包括設(shè)置在所述表面層背離所述打底層一面的抗指紋膜層。

11.一種移動(dòng)終端，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～10任一項(xiàng)所述的移動(dòng)終端外殼，以及設(shè)置在所述移動(dòng)終端外殼的顯示屏。