[發明專利]測試條件決定裝置及測試條件決定方法

有效

• 申請號: 201910022672.5
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN110047768B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 中村卓譽;酒井雅
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種測試條件決定裝置，其具備：

圖譜創建部，其基于配置有外延生長層的襯底的多處的所述外延生長層的厚度的測定值、所述外延生長層的載流子濃度的測定值、以及所述外延生長層及所述襯底的結晶缺陷的測定結果，對與芯片相關的晶圓圖進行創建；

耐壓推定部，其基于由所述圖譜創建部創建出的晶圓圖對所述芯片的耐壓進行推定；以及

測試條件決定部，其基于所述耐壓推定部的推定結果決定應運用于所述芯片的測試條件。

2.根據權利要求1所述的測試條件決定裝置，其中，

所述外延生長層的厚度是通過使用了傅里葉變換紅外分光光度計的反射干渉解析進行測定的，

所述外延生長層的載流子濃度是通過使用了水銀電極的C-V特性測定方法進行測定的，

所述外延生長層及所述襯底的結晶缺陷是通過X射線形貌法進行測定的。

3.根據權利要求1或2所述的測試條件決定裝置，其中，

作為所述測試條件的決定，所述測試條件決定部決定是否實施高耐壓測試。

4.一種測試條件決定方法，其具備下述工序：

工序(a)，基于配置有外延生長層的襯底的多處的所述外延生長層的厚度的測定值、所述外延生長層的載流子濃度的測定值、以及所述外延生長層及所述襯底的結晶缺陷的測定結果，對與芯片相關的晶圓圖進行創建；

工序(b)，基于由所述工序(a)創建出的晶圓圖對所述芯片的耐壓進行推定；以及

工序(c)，基于所述工序(b)的推定結果決定應運用于所述芯片的測試條件。

5.根據權利要求4所述的測試條件決定方法，其中，

在依次進行了向所述外延生長層及所述襯底的至少一者的離子注入、用于結晶性恢復的退火后，對所述外延生長層及所述襯底的結晶缺陷進行測定。

6.根據權利要求4所述的測試條件決定方法，其中，

在依次進行了向所述外延生長層及所述襯底的至少一者的離子注入、用于結晶性恢復的退火、退火用保護膜的去除后，對所述外延生長層及所述襯底的結晶缺陷進行測定。