[發(fā)明專利]一種支持列選結(jié)構(gòu)的亞閾值10管存儲單元

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910022574.1
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN109872747A
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 溫亮;呂建平;劉玉;孟春寧;張靜;盧艷;漆世錢
• 申請（專利權(quán)）人: 中國人民武裝警察部隊海警學(xué)院
• 主分類號: G11C11/412
• 分類號: G11C11/412;G11C11/419
• 代理公司: 寧波奧圣專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33226
• 代理人: 謝瀟

1.一種支持列選結(jié)構(gòu)的亞閾值10管存儲單元，其特征在于包括位線、反相位線、字線、PMOS上拉管對、第一反相器、第二反相器、讀電路和寫電路；

所述的PMOS上拉管對包括第一PMOS管和第二PMOS管，所述的第一PMOS管的源極和所述的第二PMOS管的源極均接入電源，所述的第一PMOS管的漏極和所述的第二PMOS管的柵極連接且其連接端為所述的PMOS上拉管對的第一輸出端，所述的第一PMOS管的柵極和所述的第二PMOS管的漏極連接且其連接端為所述的PMOS上拉管對的第二輸出端；

所述的第一反相器包括第三PMOS管和第一NMOS管，所述的第三PMOS管的源極為所述的第一反相器的電源端，所述的第一反相器的電源端與所述的PMOS上拉管對的第一輸出端連接且其連接端為所述的亞閾值10管存儲單元的第一個堆疊節(jié)點，所述的第三PMOS管的柵極和所述的第一NMOS管的柵極連接且其連接端為所述的第一反相器的輸入端，所述的第三PMOS管的漏極和所述的第一NMOS管的漏極連接且其連極端為所述的第一反相器的輸出端，所述的第一反相器的輸出端為所述的亞閾值10管存儲單元的第一個存儲節(jié)點，所述的第一NMOS管的源極接地；

所述的第二反相器包括第四PMOS管和第二NMOS管，所述的第四PMOS管的源極為所述的第二反相器的電源端，所述的第二反相器的電源端與所述的PMOS上拉管對的第二輸出端連接且其連接端為所述的亞閾值10管存儲單元的第二個堆疊節(jié)點，所述的第四PMOS管的柵極和所述的第二NMOS管的柵極連接且其連接端為所述的第二反相器的輸入端，所述的第四PMOS管的漏極和所述的第二NMOS管的漏極連接且其連極端為所述的第二反相器的輸出端，所述的第二反相器的輸出端為所述的亞閾值10管存儲單元的第二個存儲節(jié)點，所述的第二NMOS管的源極接地；

所述的第二反相器的輸入端與所述的亞閾值10管存儲單元的第一個存儲節(jié)點連接，所述的第一反相器的輸入端與所述的亞閾值10管存儲單元的第二個存儲節(jié)點連接；

所述的讀電路包括第三NMOS管和第四NMOS管，所述的第三NMOS管的柵極和所述的第四NMOS管的柵極均與所述的字線連接，所述的第三NMOS管的漏極和所述的亞閾值10管存儲單元的第一個堆疊節(jié)點連接，所述的第三NMOS管的源極和所述的位線連接，所述的第四NMOS管的漏極和所述的亞閾值10管存儲單元的第二個堆疊節(jié)點連接，所述的第四NMOS管的源極和所述的反相位線連接；

所述的寫電路包括第五NMOS管和第六NMOS管，所述的第五NMOS管的柵極和所述的第一反相器的輸入端連接，所述的第五NMOS管的漏極和所述的亞閾值10管存儲單元的第一個堆疊節(jié)點連接，所述的第五NMOS管的源極接地，所述的第六NMOS管的柵極和所述的第二反相器的輸入端連接，所述的第六NMOS管的漏極和所述的亞閾值10管存儲單元的第二個堆疊節(jié)點連接，所述的第六NMOS管的源極接地。