[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201910022530.9
• 申請日: 2019-01-10
• 公開（公告）號: CN110931555A
• 公開（公告）日: 2020-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 末代知子;巖鍜治陽子;諏訪剛史
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 夏斌

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

半導(dǎo)體部，包括第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層；

第一電極，設(shè)置在上述半導(dǎo)體部的表面上；

第二電極，設(shè)置在上述半導(dǎo)體部的背面上；

多個控制電極，設(shè)置在上述半導(dǎo)體部中，在從上述第一電極朝向上述第二電極的第一方向上延伸，且在沿著上述半導(dǎo)體部的上述表面的第二方向上排列配置；以及

多個第一絕緣膜，使上述多個控制電極與上述半導(dǎo)體部電絕緣，

上述半導(dǎo)體部包括：

第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層，位于上述多個控制電極中相鄰接的兩個控制電極之間，且設(shè)置在上述第一電極與上述第一半導(dǎo)體層之間；

第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層，選擇性地設(shè)置在上述第一電極與上述第二半導(dǎo)體層之間；

第二導(dǎo)電型的第四半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述多個控制電極中相鄰接的另外兩個控制電極之間，且設(shè)置在上述第一電極與上述第一半導(dǎo)體層之間；

第二導(dǎo)電型的第五半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述第一電極與上述第四半導(dǎo)體層之間；以及

第六半導(dǎo)體層，設(shè)置在上述第四半導(dǎo)體層與上述第五半導(dǎo)體層之間，包含第一導(dǎo)電型雜質(zhì)，

上述第六半導(dǎo)體層具有位于上述第四半導(dǎo)體層與上述第五半導(dǎo)體層之間的主部、以及位于上述多個第一絕緣膜中的一個第一絕緣膜與上述主部之間的邊界部，上述邊界部的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度比上述主部的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度低。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

還具備分別設(shè)置在上述第一電極與上述多個控制電極之間的多個第二絕緣膜，

上述多個控制電極通過上述多個第二絕緣膜而與上述第一電極電絕緣，

上述第一電極與上述第三半導(dǎo)體層以及上述第五半導(dǎo)體層電連接。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述邊界部具有包含濃度比上述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度高的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的第二導(dǎo)電型。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述半導(dǎo)體部還包括位于上述第一半導(dǎo)體層與上述第二電極之間的第二導(dǎo)電型的第七半導(dǎo)體層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述半導(dǎo)體部還包括第一導(dǎo)電型的第八半導(dǎo)體層，該第八半導(dǎo)體層位于上述第一半導(dǎo)體層與上述第七半導(dǎo)體層之間，包含濃度比上述第一半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)濃度高的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述半導(dǎo)體部還包括第一導(dǎo)電型的第八半導(dǎo)體層，該第八半導(dǎo)體層設(shè)置在上述第一半導(dǎo)體層與上述第二半導(dǎo)體層之間，包含濃度比上述第一半導(dǎo)體層的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)高的第一導(dǎo)電型雜質(zhì)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述多個控制電極在沿著上述半導(dǎo)體部的上述表面的第三方向、且是與上述第二方向交叉的第三方向上延伸，

上述半導(dǎo)體部還包括第二導(dǎo)電型的第九半導(dǎo)體層，該第九半導(dǎo)體層選擇性地設(shè)置在上述第二半導(dǎo)體層與上述第一電極之間，包含濃度比上述第二半導(dǎo)體層的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)高的第二導(dǎo)電型雜質(zhì)，在上述第三方向上與上述第三半導(dǎo)體層交替配置，

上述第一電極與上述第三半導(dǎo)體層、上述第五半導(dǎo)體層以及上述第九半導(dǎo)體層電連接。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

上述半導(dǎo)體部具有：第一區(qū)域，位于上述相鄰接的兩個控制電極之間，包括上述第二半導(dǎo)體層和上述第三半導(dǎo)體層；以及第二區(qū)域，位于上述另外兩個控制電極之間，包括上述第四半導(dǎo)體層、上述第五半導(dǎo)體層以及上述第六半導(dǎo)體層，

上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域分別配置有多個，

在沿著上述半導(dǎo)體部的表面的第二方向上相鄰的兩個上述第一區(qū)域之間配置有兩個以上的上述第二區(qū)域。