[發明專利]一種低成本HgTe三維拓撲材料生長的方法在審
| 申請號： | 201910021572.0 | 申請日： | 2019-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN109750358A | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 王仍;焦翠靈;陸液;霍勤;張成;喬輝;李向陽 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海技術物理研究所 |
| 主分類號： | C30B29/48 | 分類號： | C30B29/48;C30B25/18;C30B33/02 |
| 代理公司： | 上海滬慧律師事務所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 拓撲 材料生長 退火 低成本 碲鋅鎘 襯底 三維 氮氣 高溫高壓合成 氣相外延設備 氣相外延生長 外延生長設備 高純氮氣 合成過程 化學配比 快速降溫 氣相外延 氫氣氣氛 三氯甲烷 雙面研磨 乙醇清洗 原位退火 生長 乙醇 吹干 放入 高純 甲醇 精拋 爐內 配比 熱浴 搖擺 腐蝕 | ||
【權利要求書】：
1.一種低成本HgTe三維拓撲材料生長的方法，包括HgTe源材料配比，襯底處理工藝、氣相外延生長工藝、氣相外延退火工藝，其特征在于：
所述的HgTe源材料配比是：將Hg：Te＝1：1的摩爾比進行配置，在700℃下進行高溫高壓合成，合成過程中保持8h搖擺以確保HgTe源的均勻混合，最后沖大量氮氣進行快速降溫；
所述的襯底的處理工藝是：選取(111)A面碲鋅鎘晶體為襯底材料，進行雙面研磨，雙面精拋，熱三氯甲烷三次、熱浴乙醇三次，2％Br甲醇腐蝕60s，高純乙醇清洗三次，高純氮氣吹干；
所述的氣相外延生長工藝是：將處理好的碲鋅鎘襯底，放入氣相外延設備里，利用等溫氣相外延原理，控制好源和襯底的間距以及密封性，進行HgTe的氣相外延生長，生長溫度500～550℃，生長時間1h～3h；
所述的氣相外延退火工藝是：在氣相外延爐內，進行HgTe材料的原位退火，氫氣氣氛下，退火溫度250～280℃，退火時間24～48h。
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